Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触

发布时间：2021-08-14 21:45

　　以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓（GaN）材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4Ω·cm²。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧光和光致发光谱对GaN N面的表面、光学特性进行了对比表征。结果表明:未刻蚀GaN衬底的N面表面存在一定的损伤层,导致近表面处含有大量缺陷,不利于欧姆接触的形成;而ICP刻蚀处理有效地去除了损伤层。X射线光电子能谱（XPS）分析显示刻蚀后样品的Ga 3d结合能比未刻蚀样品向高能方向移动了约0.3 e V,其肖特基势垒则相应降低,有利于欧姆接触的形成。同时对Fe掺杂半绝缘GaN的N面也进行了刻蚀处理,同样实现了良好的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触,其比接触电阻率为0.12Ω·cm²。 

【文章来源】：半导体技术. 2017,42(09)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 Fe掺杂Ga N的欧姆接触
4 结论



本文编号：3343240