氧化钒薄膜阻变特性及仿神经突触行为研究
发布时间：2021-09-04 12:36
近年来,作为第四类无源电路基础器件的忆阻器赢得了社会各界的广泛关注。忆阻器因其拥有着独特非线性特性、低功耗、结构简明易集成以及电阻记忆特性,在各领域研究人员眼中已经成为未来智能计算机的理想原件,它具备的信息处理与存储同步化的特点也将是人类突破冯·诺依曼瓶颈的关键。目前已有大量的氧化物（TiO2、WOx和HfO2等）被用于构造忆阻器件,并进行神经突触模拟以及神经网络构建。氧化钒作为一种过渡金属氧化物,一直受到广泛关注。其中,M相二氧化钒（VO2）的电致相变使其在智能窗、光电开关和光存储方面具有很大的应用潜力,但其相变机理一直存在很大的争议。同时,非晶氧化钒（VOx）作为变价金属氧化物,其电学特性对外场具有显著的依赖性,这意味着VOx可能是优良的忆阻材料。本论文通过调节VO2与环境之间的热交换,深入研究了电驱动晶化VO2相变中焦耳热的重要地位;并控制溅射过程中的氧通量,制备了双层VOx忆阻器件,...
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：68 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
四种基本无源元件关系图
图 1-2 忆阻器结构示意图阻器概念的提出至今，通过实验表明很多材料都具有优良的阻变特aZnO[15]、HfO2[16]等。而不同的阻变材料在忆阻器的反应速度，阻变电压等方面表现出明显的差别。Hewlett-Packard(惠普)实验室的 Struk用氧化钛为阻变材料设计并通过仿真验证了一种可靠的忆阻器器件 1-3 所示）。其上下电极采用 Pt 金属，阻变层由 TiO2/TiO2-x的双层结2-x为少氧氧化钛）。TiO2-x层称为 Doped 区，TiO2层称为 Undoped 区-x层的阻值远小于 TiO2层，当受到外界电场刺激时，氧离子发生迁2-x的界面发生移动，导致忆阻器的整体电阻值发生改变，从而产生忆VDopedTiOUndopedTiOPt Pt
图 1-2 忆阻器结构示意图念的提出至今，通过实验表明很多材料都具有优、HfO2[16]等。而不同的阻变材料在忆阻器的反应方面表现出明显的差别。Hewlett-Packard(惠普)实钛为阻变材料设计并通过仿真验证了一种可靠的）。其上下电极采用 Pt 金属，阻变层由 TiO2/TiO氧化钛）。TiO2-x层称为 Doped 区，TiO2层称为值远小于 TiO2层，当受到外界电场刺激时，氧发生移动，导致忆阻器的整体电阻值发生改变，V
本文编号：3383277
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：68 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
四种基本无源元件关系图
图 1-2 忆阻器结构示意图阻器概念的提出至今，通过实验表明很多材料都具有优良的阻变特aZnO[15]、HfO2[16]等。而不同的阻变材料在忆阻器的反应速度，阻变电压等方面表现出明显的差别。Hewlett-Packard(惠普)实验室的 Struk用氧化钛为阻变材料设计并通过仿真验证了一种可靠的忆阻器器件 1-3 所示）。其上下电极采用 Pt 金属，阻变层由 TiO2/TiO2-x的双层结2-x为少氧氧化钛）。TiO2-x层称为 Doped 区，TiO2层称为 Undoped 区-x层的阻值远小于 TiO2层，当受到外界电场刺激时，氧离子发生迁2-x的界面发生移动，导致忆阻器的整体电阻值发生改变，从而产生忆VDopedTiOUndopedTiOPt Pt
图 1-2 忆阻器结构示意图念的提出至今，通过实验表明很多材料都具有优、HfO2[16]等。而不同的阻变材料在忆阻器的反应方面表现出明显的差别。Hewlett-Packard(惠普)实钛为阻变材料设计并通过仿真验证了一种可靠的）。其上下电极采用 Pt 金属，阻变层由 TiO2/TiO氧化钛）。TiO2-x层称为 Doped 区，TiO2层称为值远小于 TiO2层，当受到外界电场刺激时，氧发生移动，导致忆阻器的整体电阻值发生改变，V
本文编号：3383277
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