InAs/GaAs自组织量子点量子发光效应

发布时间：2021-09-07 04:50

　　以量子通信、量子计算和量子测量为代表的量子信息技术飞速发展,而量子信息技术的发展依赖于高品质的单光子源和纠缠光子源核心量子器件。在实现量子光源的诸多方案中,半导体量子点具有良好的退相干时间、可调波长范围大、易于集成制备等优点,是制备单光子源最有潜力的材料体系,被国内外广泛研究。但是量子点临界成岛条件十分苛刻,对淀积量和生长温度等参数极其敏感,生长成功率低,可重复性差。如何实现低密度量子点的可控外延生长是实现单光子源必需要解决的一个难题。为进一步将单光子源推向远距离量子保密光纤通信的应用,将单量子点波长拓展到1.33微米乃至1.55微米是一个非常关键的问题。本论文将针对InAs/GaAs量子点的密度可控分子束外延生长方法、量子点激子发光特性、InAs/GaAs量子点发光波长拓展等关键科学问题进行研究。主要研究成果如下:（1）采用“烧点法”和“梯度生长法”相结合的方法,实现了量子点密度精确可控的外延生长。外延生长出了密度梯度分布的InAs/GaAs量子点,波长位于900-1000nm,量子点密度在0.5个/μm ²至5个/μm ²范围。（2）详细... 

【文章来源】：曲阜师范大学山东省

【文章页数】：58 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

单个二能级体系在光激励或电泵浦情况下产生单光子流

不同自组织半导体量子点的发光谱示意图

图2-1分子束外延系统示意图

【参考文献】：
期刊论文
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[2]InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究[J]. 李世国,龚谦,曹春芳,王新中,沈晓霞,周志文,张卫丰,范金坪.  光电子·激光. 2015(01)
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本文编号：3388878