功率型UV-LED的设计与制备
发布时间：2021-09-23 03:38
紫外发光二极管（Ultraviolet light-emitting diodes,UV-LED）相比传统紫外光源具有发光效率高、光谱单一、寿命长、节能环保、反应速度快、体积小等特点,近年来随着UV-LED芯片水平和封装技术的快速发展,UV-LED在油墨固化等行业领域具有巨大的市场前景。目前UV-LED芯片技术还没有蓝、红光LED成熟,除了芯片自身水平需要提高外,封装技术对UV-LED的性能也有着重要的影响。本文工作主要是围绕功率型UV-LED的封装技术研究,结合LED散热仿真设计,提出了针对单芯UV-LED、多芯集成UV-LED以及UV-LED光源模组的封装结构设计,并制备性能优异的功率型UV-LED器件,取得的研究成果如下:1、在功率型单芯UV-LED封装中创新性地引入高阻硅片,这种设计不仅能够提高UV-LED的光功率,而且还能通过增加芯片的抗静电能力和减小UV-LED的光衰来改善UV-LED器件的可靠性。2、以LED散热仿真设计为指导,采用3mm大尺寸垂直结构硅基芯片进行LED封装,制备的灯珠器件不但能够改善电流分布从而提高发光强度,而且还能降低热阻和结温以改善LED器件的可靠性...
【文章来源】：江西科技师范大学江西省
【文章页数】：63 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
UV-LED光源与常规汞灯光谱对照图
热机制分析 的发光原理基本结构由 p-n 结组成[36]，如图 2-1 所示。所谓 p-n 结是 p 型（或 n 型）半导体单晶上掺入 n 型（或 p 型）杂质，备不同导电类型（p 型和 n 型）的两个区域，与此同时在一种具有单向导电性的特殊结构即为 p-n 结。当 n 型或 p在无外场影响下，表现为电中性。然而，一旦两种半导况就不一样了，由于两个区域的载流子浓度存在差异，使 区，留下带正电的电离施主，p 区与之相反，留下带负电离杂质不会在半导体中移动，不会结合呈电中性。电离施于 p-n 结附近的 n 区（表现为正电荷区）和 p 区（表现为电离杂质所构成的区域我们称之为空间电荷区，所带的电
第 2 章 散热机制与封装材料，p-n 结中两个区域有等值的费米能级，即有统个半导体组合构成 p-n 结时，电子从具有高费米 p 区移动，使得该区的费米能级呈下降趋势，空上升，最终达到两区的费米能级相等。附加一个正向电压时，p-n 结的势垒会有所降低，电阻大，而势垒区外电阻小，因此此时的势垒该电压下，n 区的电子被注入到 p 区，而 p 区的，产生的电场与内建电场相反，从而使得势垒，n 区费米能级上移，直至 p 区和 n 区的费米能之差，高于平衡态浓度的非平衡载流子在结的图 2-2 所示。
本文编号：3404957
【文章来源】：江西科技师范大学江西省
【文章页数】：63 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
UV-LED光源与常规汞灯光谱对照图
热机制分析 的发光原理基本结构由 p-n 结组成[36]，如图 2-1 所示。所谓 p-n 结是 p 型（或 n 型）半导体单晶上掺入 n 型（或 p 型）杂质，备不同导电类型（p 型和 n 型）的两个区域，与此同时在一种具有单向导电性的特殊结构即为 p-n 结。当 n 型或 p在无外场影响下，表现为电中性。然而，一旦两种半导况就不一样了，由于两个区域的载流子浓度存在差异，使 区，留下带正电的电离施主，p 区与之相反，留下带负电离杂质不会在半导体中移动，不会结合呈电中性。电离施于 p-n 结附近的 n 区（表现为正电荷区）和 p 区（表现为电离杂质所构成的区域我们称之为空间电荷区，所带的电
第 2 章 散热机制与封装材料，p-n 结中两个区域有等值的费米能级，即有统个半导体组合构成 p-n 结时，电子从具有高费米 p 区移动，使得该区的费米能级呈下降趋势，空上升，最终达到两区的费米能级相等。附加一个正向电压时，p-n 结的势垒会有所降低，电阻大，而势垒区外电阻小，因此此时的势垒该电压下，n 区的电子被注入到 p 区，而 p 区的，产生的电场与内建电场相反，从而使得势垒，n 区费米能级上移，直至 p 区和 n 区的费米能之差，高于平衡态浓度的非平衡载流子在结的图 2-2 所示。
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