不同直径InP晶锭混合加工技术

发布时间：2021-09-29 14:29

　　通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响。实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移。通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积。 

【文章来源】：半导体技术. 2020,45(05)北大核心

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

非滚圆晶锭切片厚度分布

滚圆晶锭切片厚度分布

图6 两种晶片翘曲度值对比

【参考文献】：
期刊论文
[1]磷化铟单晶片抛光工艺研究[J]. 王云彪,杨洪星,陈亚楠,赵权.  电子工艺技术. 2013(05)
[2]磷化铟单晶片三步抛光技术研究[J]. 杨洪星,王云彪,刘春香,赵权,林健.  微纳电子技术. 2012(10)
[3]大直径InP单晶生长研究[J]. 周晓龙,杨克武,杨瑞霞,孙同年,孙聂枫.  半导体技术. 2009(04)

博士论文
[1]InP晶体合成、生长和特性[D]. 孙聂枫.天津大学 2008



本文编号：3413872