Cu 2 O半导体薄膜场效应晶体管特性的理论分析与实验研究

发布时间：2021-10-07 03:43

　　半导体薄膜场效应晶体管,具备容易制备,耗能较低,制备的器件各项性能稳定性较好等优点,是集成电路制造中的基础单元器件。因半导体掺杂特性及制备工艺等因素的影响,目前,世界范围内对n型半导体材料的制备和薄膜场效应晶体管器件方面上的研究较多,而对于p型氧化物半导体薄膜场效应晶体管的材料、器件制备及理论分析方面的研究却相对滞后。近年来,p型氧化物半导体薄膜场效应晶体管器件在太阳能电池、光伏器件、透明电子器件、柔性电子器件等领域都显示了较好的应用潜力。因此,开展p型氧化物半导体薄膜场效应晶体管器件的制备、特性及应用研究也是当今半导体材料与器件研究领域的热点问题。本论文主要内容如下:（1）使用第一性原理密度泛函理论的计算,系统的研究了结构优化后的Cu₂O晶体材料的能带结构、态密度等特性。未掺杂的Cu₂O最小禁带宽度约是0.51eV,是直接带隙半导体。其价带顶的电子能级主要由Cu-3d和O-2p态电子共同贡献,导带底的电子能级则主要由Cu-4p和O-2p态电子共同贡献。计算发现,Cu₂O晶体的禁带宽度比较的小,其费米能面更接近价带,能带... 

【文章来源】：辽宁师范大学辽宁省

【文章页数】：48 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

Cu2O晶胞结构

图 2.1 Cu2O超晶胞结构图Fig. 2.1 Cu2O supercell structure figure构建 Cu2O 的超晶胞模型，如图 2.1 是建立的 2×2×2 超晶胞模型。对结构对体系内的电子结构分析。计算前，先对 Cu2O 计算体系进行参数设置，表 2.1 Cu2O计算参数设置Tab. 2.1 Cu2O calculation parametersetting

研究的计算结果是具有一定价值的。表 2.2 Cu2O几何优化后的结构参数Tab. 2.2 Cu2O geometrically optimized structuralparameters能带结构及态密度了能更好的了解 Cu2O晶体的电子结构和能态密度，本文根据优化计算的了未掺杂的 Cu2O晶体的能带结构图和态密度图像，如图 2.2和图 2.3。

【参考文献】：
期刊论文
[1]Cu2O电子结构与光学性质的第一性原理研究[J]. 张昌华,余志强.  湖北民族学院学报(自然科学版). 2016(01)
[2]TiNiZr高温形状记忆合金的马氏体相变和相稳定性的理论研究[J]. 胡飞,陈佰树,吴坤,薛长虹,徐丰.  黑龙江八一农垦大学学报. 2015(02)
[3]P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究[J]. 余志强,张昌华,郎建勋.  物理学报. 2014(06)
[4]硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究[J]. 余志强.  物理学报. 2012(21)
[5]N掺杂Cu2O薄膜的光学性质及第一性原理分析[J]. 濮春英,李洪婧,唐鑫,张庆瑜.  物理学报. 2012(04)
[6]微波法制备三角锥形碘化亚铜微纳米晶体[J]. 李静,贾会敏,郑直.  化学世界. 2010(07)
[7]氧化亚铜纳米微粒与金黄色葡萄球菌的相互作用[J]. 沈成灵,李原芳,祁文静,黄承志.  中国科学（B辑:化学）. 2008(12)
[8]低温固相法制备Cu2O纳米晶[J]. 张炜,许小青,郭承育,郭幼敬,张素珍.  青海师范大学学报(自然科学版). 2004(03)
[9]IMO与船底防污[J]. 浦宝康.  交通环保. 2000(04)
[10]无毒防污涂料的进展[J]. 倪余伟,王贵森.  涂料工业. 1999(07)



本文编号：3421296