氧钝化硅基ZnO/纳米多孔硅柱状阵列异质结近白光LED的性能

发布时间：2021-11-09 13:15

　　设计并制备了结构为掺锡氧化铟（ITO）/氧化锌（ZnO）/纳米多孔硅柱状阵列（NSPA）/Si/Al的纳米异质结发光二极管（LED）,实现了近白光电致发光（EL）。利用蒸气刻蚀技术,在P-Si表面制备NSPA层。对NSPA表面进行氧等离子体钝化处理,通过优化钝化参数改善了硅基NSPA的发光特性。在NSPA表面生长N型ZnO薄膜,得到ZnO/NSPA纳米异质结LED。实验结果表明,氧等离子体钝化处理能够有效地提高该器件的发光强度,并实现近白光发射。 

【文章来源】：激光与光电子学进展. 2016,53(11)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1引言
2实验
3结果与分析
4结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]占空比可调的氮化镓纳米圆台阵列的制备及其光致发光效率的研究[J]. 陈湛旭,万巍,陈耿炎,何影记,陈泳竹.  激光与光电子学进展. 2016(07)
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[4]氧化锌/硅纳米孔柱阵列的结构和光致发光特性研究[J]. 姚志涛,孙新瑞,许海军,姜卫粉,肖顺华,李新建.  物理学报. 2007(10)
[5]纳米硅/氧化硅体系光致发光机制[J]. 秦国刚.  红外与毫米波学报. 2005(03)
[6]氧、氮掺杂硅基薄膜的荧光光谱[J]. 黄翀,石旺舟,俞波.  光谱学与光谱分析. 2003(01)

博士论文
[1]高质量ZnO薄膜的MOCVD法可控生长及其发光器件研究[D]. 史志锋.吉林大学 2015

硕士论文
[1]Si上MOCVD法制备ZnO薄膜以及n-ZnO/MgO/p-Si异质结器件发光研究[D]. 崔夕军.吉林大学 2015



本文编号：3485418