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IGBT直接串联均压技术的研究

发布时间:2017-05-06 19:08

  本文关键词:IGBT直接串联均压技术的研究,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】:电力电子的发展对电力电子器件的额定电压范围提出了更高的要求。IGBT以其良好的开关性能成为了应用前景非常广阔的电力电子器件。然而,现有的IGBT的最大额定电压只有6.5kV。IGBT的串联在应用中不仅可以获得更高的额定工作电压,也可以获得相同电压级别下更好的开关性能。但IGBT的串联极易产生电压不均衡,导致器件过电压,这是目前IGBT串联亟需解决的问题。本文首先阐述了IGBT的内部机理,并在PSPICE软件中建立了IGBT的物理仿真模型,对本文所建立的IGBT仿真模型与PSPICE内部库模型进行了仿真对比研究,验证了本文所建模型的正确性。本文分析了IGBT的开通和关断的动态过程,分阶段的阐述了开通和关断过程中可能造成串联电压失衡的原因。对现有的主流均压方案进行了综述,并对两种典型的串联均压方案——有源箝位和磁芯同步技术的控制机理以及优缺点进行了重点分析,在此基础上提出了一种基于两者相结合的混合控制均压方案,阐述了该控制方案在不同瞬态阶段的控制机理,该方案对整个开关动态均能实现有效的控制。基于理论分析和PSPICE仿真研究,采用混合均压方案,对可能造成IGBT串联电压失衡的各种因素进行了研究,搭建基于IGBT直接串联的高压Boost直流变换器,对本控制方案进行了实验验证,实验结果与理论分析和仿真研究温和,验证了混合均压方案对可能造成IGBT串联电压失衡的各种因素的适应性,同时还通过对四个IGBT的串联均压仿真验证了方案应用于多个串联情况的可行性。
【关键词】:IGBT串联 均压 有源箝位 磁芯同步 混合控制
【学位授予单位】:北方工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN322.8
【目录】:
  • 摘要3-4
  • ABSTRACT4-8
  • 第一章 绪论8-19
  • 1.1 研究背景8-10
  • 1.2 IGBT串联技术的应用展望10
  • 1.3 串联IGBT动态电压失衡的原因分析10-11
  • 1.4 IGBT的串联均压方试11-19
  • 1.4.1 负载侧控制技术11-12
  • 1.4.2 栅极控制技术12-19
  • 第二章 IGBT的内部原理及仿真模型19-28
  • 2.1 IGBT模型等效19-23
  • 2.1.1 功率器件建模的四种方式19-21
  • 2.1.2 BJT模型21-23
  • 2.1.3 MOSFET模型23
  • 2.2 IGBT仿真模型23-28
  • 2.2.1 IGBT模型建立23-26
  • 2.2.2 仿真波形图26-28
  • 第三章 IGBT串联电压不平衡的原因分析28-37
  • 3.1 IGBT串联研究的主要问题28
  • 3.2 静态电压失衡28
  • 3.3 动态电压失衡28-37
  • 3.3.1 IGBT的开关特性28-29
  • 3.3.2 开通过程29-31
  • 3.3.3 开通过程可能导致电压不平衡的原因31-32
  • 3.3.4 关断过程32-33
  • 3.3.5 关断瞬态电压不平衡的原因33-37
  • 第四章 混合均压方案37-53
  • 4.1 有源箝位技术37-40
  • 4.2 磁芯同步技术40-45
  • 4.2.1 磁芯同步技术原理40-41
  • 4.2.2 变压器设计41-42
  • 4.2.3 高频变压器参数计算42-43
  • 4.2.4 仿真验证43-45
  • 4.3 基于有源箝位技术和磁芯同步技术的混合均压方案45-53
  • 4.3.1 混合均压方案的原理45
  • 4.3.2 混合方案在不同的情形下可行性的仿真验证45-53
  • 第五章 实验验证53-69
  • 5.1 实验电路拓扑53-54
  • 5.2 两个IGBT的串联实验54-64
  • 5.2.1 未添加栅极信号延时的IGBT串联实验54-56
  • 5.2.2 添加栅极信号延迟下的IGBT串联实验56-64
  • 5.3 四个IGBT的串联实验64-69
  • 第六章 结论与展望69-70
  • 参考文献70-76
  • 在学期间的研究成果76-77
  • 致谢77

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2 罗R,

本文编号:348966


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