基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究
发布时间：2021-11-13 21:55
石墨烯具有电子迁移率高、透过率高（T≈97.7%）且费米能级可调的特性。砷化镓的电子迁移率比硅的大5到6倍。引入砷化铟量子点后,光电探测器具有低暗电流、高工作温度、高响应率和探测率的特点,因而可被用于制备响应快、量子效率高和光谱宽的光电探测器。对基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基结的Ⅰ-Ⅴ特性和光电响应进行了研究。结果表明,在0 V偏压下,该器件在400 nm950 nm均有响应,峰值响应率可达0.18 A/W;在反向偏压下,器件的峰值响应率可达到0.45 A/W。通过对暗电流随温度变化的特性进行分析,得到了InAs/GaAs量子点一石墨烯肖特基结在室温附近以及80 K附近的势垒高度。
【文章来源】：红外. 2016,37(07)
【文章页数】：7 页
【部分图文】：
图３基于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点－石墨烯复合结构肖特基结的光电特性：?
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本文编号：3493792
【文章来源】：红外. 2016,37(07)
【文章页数】：7 页
【部分图文】：
图３基于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点－石墨烯复合结构肖特基结的光电特性：?
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