具有高开启/关断电流比的Al 2 O 3 /AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）
发布时间：2021-11-14 15:30
采用原子层淀积（ALD）方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlG aN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20 V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6 nA,比同样尺寸的Schottky-gate HEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlG aN/GaN MOSHEMT的栅压摆幅达到了±20 V。在栅压Vgs=0 V时,MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的饱和电流密度（277 mA/mm）提高了133%。栅漏间距为10μm的AlG aN/GaN MOSHEMT器件在栅压为+3 V时的最大饱和输出电流达到680 mA/mm,特征导通电阻为1.47 mΩ·cm2。Schottky-gate HEMT的开启与关断电流比仅为105,MOS-HEMT的开启与关断电...
【文章来源】：发光学报. 2016,37(05)北大核心EICSCD
【文章页数】：5 页
【文章目录】：
1 Introduction
2 Device Fabrication and Measurements
3 Results and Discussion
4 Conclusion
【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术[J]. 程俊红,肖震霞. 电源学报. 2020(04)
[2]单载流子传输光敏晶体管小信号等效电路模型的建立与分析[J]. 孙丹,谢红云,刘芮,刘硕,吴佳辉,张万荣. 光子学报. 2017(11)
本文编号：3494890
【文章来源】：发光学报. 2016,37(05)北大核心EICSCD
【文章页数】：5 页
【文章目录】：
1 Introduction
2 Device Fabrication and Measurements
3 Results and Discussion
4 Conclusion
【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术[J]. 程俊红,肖震霞. 电源学报. 2020(04)
[2]单载流子传输光敏晶体管小信号等效电路模型的建立与分析[J]. 孙丹,谢红云,刘芮,刘硕,吴佳辉,张万荣. 光子学报. 2017(11)
本文编号：3494890
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