栅极坡度角对TFT器件制程的影响

发布时间：2021-11-14 21:43

　　薄膜晶体管（Thin film transistor,TFT）的栅极在截面方向上是一个台阶,栅极绝缘层（Gate Insulator,GI）和源漏极（Source和Data电极,SD电极）依次覆盖于台阶之上,覆盖程度以台阶覆盖率（台阶处GI层水平厚度与竖直厚度的比值）进行衡量。本文结合重庆京东方的HADS产品工艺制程,探究了栅极厚度、坡度角对GI层的台阶覆盖率的影响。同时,在覆盖率的基础上研究了台阶处和非台阶处的SD膜层刻蚀程度差异。结合量产中的不良,分析栅极坡度角、覆盖率、栅极腐蚀等相关不良的关系,并提出相应的良率提升措施。实验结果表明:坡度角是影响GI覆盖率的关键因素,且栅极坡度角与GI覆盖率呈负线性关系。当栅极厚度在280～500nm范围变化时,栅极坡度角每增加10°,GI层台阶覆盖率下降约20%。SD膜层覆盖在台阶上,因台阶的存在造成此处的SD层减薄,最终导致该处的SD膜层刻蚀程度加大。如果栅极坡度角偏大,会导致台阶处GI层减薄或者产生微裂纹,工艺制程中的腐蚀介质会透过减薄的GI层进而腐蚀栅极;此外,偏大的栅极坡度角会导致台阶处的SD电极有断线的风险。通过刻蚀液种类变更、刻蚀液... 

【文章来源】：液晶与显示. 2020,35(10)北大核心CSCD

【文章页数】：10 页

【图文】：

TFT器件结构及制程顺序示意图

GI分层（a,b）与覆盖示意图（c)

DICD和FICD测试在工艺制程中的流程

【参考文献】：
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本文编号：3495398