带有过温保护功能的低功耗音频功率放大器
发布时间:2021-11-15 01:54
设计了一种用于驱动耳机的AB类音频功率放大器芯片。针对音频功放耗电快和芯片温度过高而损坏的问题,通过减小差分输入对尾电流源的大小,让MOS管工作在亚阈值区,降低了电路功耗;通过增加过温保护电路,对芯片进行有效的温度保护。Cadence仿真结果表明,该电路获得了较高的峰值负载功率与静态功耗比值为21. 2,具有较高的电源效率。过温保护电路在136℃时开启过温保护,温度回落到80℃时核心放大电路重新开启,电路具有56℃的温度滞回区间。测试结果表明,电路可在负载为16Ω时工作,提供92. 4 m W的功率。芯片面积在0. 5μm标准CMOS工艺下为0. 893 mm2。
【文章来源】:传感器与微系统. 2020,39(06)CSCD
【文章页数】:4 页
【部分图文】:
放大器电路
图2为过温保护电路原理图,图中包含了启动电路、带隙基准源电路及温度检测比较输出电路。PM23-PM24,NM14-NM16构成两级开环比较器,以达到在对应的温度点高速开启或关断的功能,PM19-PM20形成一个正反馈回路,产生温度滞回区间以防止温度在临界状态时输出不稳定。如图2所示,比较器两个输入端的电压分别为VBEQ3和VR2,同相端的电压为VBEQ3,反相端的电压为VR2。电路工作原理为:假设在常温下,此时VR2<VBEQ3,比较器的正端电压高于负端电压,OUT为高电平。随着温度的升高,IPTAT增大,VR2也随之增大。同时,三极管的正向导通电压VBEQ3下降,当VR2>VBEQ3的一瞬间,比较器翻转,OUT为低,控制图2中的PM25,PM26和PM27导通,拉高放大器P管偏置电压,OUT信号通过反相器控制图2中NM17,NM18和NM19,拉低N管偏置电压,从而关断放大器的偏置,启动过温保护。在启动过温保护后,PM20开始导通,此时,流过R2上的电流为两部分,一部分为PM18管的电流,另外一部分为新引入的PM19提供的电流,在温度下降时,VBEQ3上升,电路恢复工作的温度点将比关断点要低,形成了滞回区间。
基于0.5μm CMOS工艺,使用Cadence工具对电路仿真,得到运放波特图,如图3所示。由图3可得,该功放的直流增益为82 d B,相位裕度为77.5°,单位增益带宽为6.9 MHz。
【参考文献】:
期刊论文
[1]便携式低功耗电子听诊器设计[J]. 黄梅,刘洪英,皮喜田,敖一鹭,王孜. 传感器与微系统. 2017(10)
本文编号:3495793
【文章来源】:传感器与微系统. 2020,39(06)CSCD
【文章页数】:4 页
【部分图文】:
放大器电路
图2为过温保护电路原理图,图中包含了启动电路、带隙基准源电路及温度检测比较输出电路。PM23-PM24,NM14-NM16构成两级开环比较器,以达到在对应的温度点高速开启或关断的功能,PM19-PM20形成一个正反馈回路,产生温度滞回区间以防止温度在临界状态时输出不稳定。如图2所示,比较器两个输入端的电压分别为VBEQ3和VR2,同相端的电压为VBEQ3,反相端的电压为VR2。电路工作原理为:假设在常温下,此时VR2<VBEQ3,比较器的正端电压高于负端电压,OUT为高电平。随着温度的升高,IPTAT增大,VR2也随之增大。同时,三极管的正向导通电压VBEQ3下降,当VR2>VBEQ3的一瞬间,比较器翻转,OUT为低,控制图2中的PM25,PM26和PM27导通,拉高放大器P管偏置电压,OUT信号通过反相器控制图2中NM17,NM18和NM19,拉低N管偏置电压,从而关断放大器的偏置,启动过温保护。在启动过温保护后,PM20开始导通,此时,流过R2上的电流为两部分,一部分为PM18管的电流,另外一部分为新引入的PM19提供的电流,在温度下降时,VBEQ3上升,电路恢复工作的温度点将比关断点要低,形成了滞回区间。
基于0.5μm CMOS工艺,使用Cadence工具对电路仿真,得到运放波特图,如图3所示。由图3可得,该功放的直流增益为82 d B,相位裕度为77.5°,单位增益带宽为6.9 MHz。
【参考文献】:
期刊论文
[1]便携式低功耗电子听诊器设计[J]. 黄梅,刘洪英,皮喜田,敖一鹭,王孜. 传感器与微系统. 2017(10)
本文编号:3495793
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3495793.html