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基于ZnMgO/ZnO的紫外波段DFB半导体激光器的仿真分析

发布时间:2021-11-26 18:48
  根据TMM(传输矩阵理论),对采用ZnMgO/ZnO为工作物质的紫外波段DFB(分布反馈)半导体激光器的结构进行设计与仿真。当占空比为0.5,光栅周期为92.5nm,光栅高度为65nm时,得到了364.8nm出射波长。通过改变有源层的厚度,分析了不同有源层厚度时激光器阈值电流与输出功率的关系。仿真结果表明,有源层太厚会减弱对载流子的限制作用,使阈值电流增大;而有源层太薄时,波导层对光子的限制效果减弱,导致损耗增大,功率下降,阈值电流增大。所以合理选取有源层厚度可改善DFB激光器的电流功率特性。 

【文章来源】:光通信研究. 2017,(01)北大核心

【文章页数】:4 页

【部分图文】:

基于ZnMgO/ZnO的紫外波段DFB半导体激光器的仿真分析


图2工作电流未达到阈值时的出射光谱仿真图

有源层厚度,仿真图,功率,电流


的出射光谱仿真图图3工作电流达到阈值时的出射光谱仿真图图4所示为功率-电流-电压(P-I-V)仿真曲线图,由图可知,其阈值电流约为40mA,输出功率为65mW,工作电压约为4.2V。工作电压V的大小与工作物质的禁带宽度Eg有关,其关系为V≥Eg/e=1.24/λ,(6)式中,λ为带隙波长。所以一般情况下,对于使用宽带隙材料的短波段半导体激光器,工作电压偏大。图4功率-电流-电压(P-I-V)的仿真曲线图5所示为改变有源层厚度时对应的功率-电流仿真图。有源层厚度h取100nm与取150nm相比,阈值电流从40mA增大至44mA,功率为64.6mW略有下降。而当有源层厚度分别取80、70和60nm时,阈值电流增大到50mA,对应的输出功率逐渐降低至13.6mW。当有源层太厚时,限制层对载流子的限制能力被减弱,致使阈值电流变大。随着有源层厚度的减小,限制层对载流子限制作用变大,载流子密度变高,但有源层厚度过小时,光场会渗透到限制层中,波导层对光子的限制作用减弱,损耗增大,导致阈值电流增大,功率减校图5改变有源层厚度h时相应的功率-电流(P-I)仿真图选取不同的光栅周期可以改变DFB激光器的发射波长,如图6所示。由布拉格公式可知,光栅周期与发射波长呈线性关系,选取的波长越靠近材料增益峰值时,激射波长幅值越大,通过将不同波长的DFB激光器集成在一块芯片上可做成激光器阵列。图6改变光栅周期与相应出射光谱仿真图(下转第60页)362017年第1期

光栅周期,出射光,仿真图,有源层厚度


层厚度分别取80、70和60nm时,阈值电流增大到50mA,对应的输出功率逐渐降低至13.6mW。当有源层太厚时,限制层对载流子的限制能力被减弱,致使阈值电流变大。随着有源层厚度的减小,限制层对载流子限制作用变大,载流子密度变高,但有源层厚度过小时,光场会渗透到限制层中,波导层对光子的限制作用减弱,损耗增大,导致阈值电流增大,功率减校图5改变有源层厚度h时相应的功率-电流(P-I)仿真图选取不同的光栅周期可以改变DFB激光器的发射波长,如图6所示。由布拉格公式可知,光栅周期与发射波长呈线性关系,选取的波长越靠近材料增益峰值时,激射波长幅值越大,通过将不同波长的DFB激光器集成在一块芯片上可做成激光器阵列。图6改变光栅周期与相应出射光谱仿真图(下转第60页)362017年第1期总第199期光通信研究STUDYONOPTICALCOMMUNICATIONS2017.02(Sum.No.199)

【参考文献】:
期刊论文
[1]Research progress in terahertz quantum cascade lasers[J]. CAO JunCheng Key Laboratory of Terahertz Solid-State Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China.  Science China(Information Sciences). 2012(01)
[2]N,Ga共掺杂实现p型ZnO的第一性原理研究[J]. 赵慧芳,曹全喜,李建涛.  物理学报. 2008(09)



本文编号:3520726

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