Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米管的可控生长及其在光电探测器中的应用

发布时间：2021-12-02 15:27

　　光电探测器是一种对特定波长的光或者辐射信号实现探测的电子器件。当下的电子工业快速发展,不仅要求电子产品的集成度更高,其性能也必须得到进一步优化。这也为光电探测器的设计与制造提出了更高的要求,如何设计出尺寸更小性能更优化的光电探测器成为科学研究和电子技术发展的重要课题。本研究展示了有源区材料制备和器件结构设计的协同作用在研制高性能光电探测器中的重要性。首先,采用物理气相沉积法首次制备了具有中空管状结构的CdS半导体纳米管,并进一步证明这种简单的制备方法可以用于ZnS和CdSe多种II-VI族半导体纳米管的制备。制备的半导体纳米管具有较好的晶体质量、极少的杂质缺陷和均匀的生长结构。该方法解决了已有半导体纳米管制备方法中制备流程复杂和制备样品晶体质量差等不足。基于理论分析和实验结果,首次实验上证明了半导体纳米管择优沉积的VLS机制。其中,VLS系统中特殊的三相边界为半导体纳米管生长过程中前驱体原子饱和析出提供了最优沉积位置;生长温度控制着前驱体的蒸发量和不同界面的过饱和度,在实验中对生长纳米材料的结构具有决定性作用;纳米催化剂颗粒浸润角的大小影响不同界面的表面能,导致形成的半导体纳米管具有不... 

【文章来源】：武汉大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：159 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

图１．２光伏效应??

在特定波长光照条件下，半导体内价带电子从价带跃迁至导带，这部分电子??可以在导带中自由移动，在外电路中表现为其电流输出显著增加，对应其光电导??显著增加［６］，如图１．１所示；??１??

在特定波长光照条件下，半导体内价带电子从价带跃迁至导带，这部分电子??可以在导带中自由移动，在外电路中表现为其电流输出显著增加，对应其光电导??显著增加［６］，如图１．１所示；??１??

【参考文献】：
期刊论文
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[3]高速、大饱和输出光电流1.55μm波段光电探测器的研究进展及其在光控相控阵雷达中的应用[J]. 郭剑川,左玉华,王启明.  中国集成电路. 2008(09)
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博士论文
[1]高质量多壁碳纳米管的制备方法和应用研究[D]. 赵江.上海交通大学 2013
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本文编号：3528715