Cd 1-x Mn x Te/CdTe量子阱中激子结合能的研究

发布时间：2024-06-29 15:30

　　随着量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域。激子对描述半导体的光学以及电学特性具有重要意义,并且激子效应对半导体中的光吸收、发光等物理过程具有重要影响,因此研究激子对半导体光电子器件的设计和制作具有非常重要意义。与半导体体材料相比,在量子阱结构中,激子的束缚能要大得多,而且在较高温度或在电场作用下更稳定。从理论上研究量子阱材料的电子态对新型量子阱器件设计具有重要的理论价值和指导意义。CdMnTe量子阱材料是一类新型半导体材料,与其它半导体材料不同,它掺入了具有磁性的Mn2+,使得CdMnTe材料兼具半导体和磁性材料的性质。这种特殊的性质使其具有很多优良的物理性能,因此在器件应用上具有很多潜在的价值,从而对CdMnTe材料的深入研究具有重要意义。本文在有效质量包络函数近似下采用变分法对Cd1-x MnxTe/CdTe量子阱中激子结合能进行了研究,主要内容如下:1.阐述了量子阱、量子阱材料和Cd1-x MnxTe/CdTe量子阱材料的发展与应用,并且对激子进行了简单的阐述。2.简单地介绍了量子阱结构中电子态的主要理论计算方法,即有效质量包络函数、打靶法、变分法和激子结合能的计算方法...

【文章页数】：54 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引论
        1.1.1 量子阱材料的发展及应用
        1.1.2 Cd1-xMnxTe半导体材料的发展及应用
        1.1.3 激子
    1.2 本论文的主要工作
第二章 理论计算方法
    2.1 有效质量包络函数近似
    2.2 打靶法
    2.3 变分法
    2.4 激子结合能
    2.5 小结
第三章 方型量子阱中激子结合能的研究
    3.1.引言
    3.2 理论模型
    3.3 结果与讨论
        3.3.1 单量子结果与讨论
        3.3.2 双量子结果与讨论
        3.3.3 多量子阱结果与讨论
    3.4 小结
第四章 抛物型和三角型量子阱中激子结合能的研究
    4.1 引言
    4.2 理论方法
    4.3 结果及讨论
        4.3.1 抛物型量子阱结果与讨论
        4.3.2 三角型量子阱结果与讨论
    4.4 小结
第五章 非对称量子阱中激子结合能的研究
    5.1 引言
    5.2 理论模型
    5.3 结果与讨论
        5.3.1 非对称双量子阱结果与讨论
        5.3.2 阶梯型量子阱结果与讨论
    5.4 小论
第六章 总结与展望
参考文献
在校期间发表的论文
致谢



本文编号：3997761