基于电场调制理论的纳米MOSFET新结构研究

发布时间：2021-12-15 20:06

　　随着集成电路的不断发展,其重要组成元件——金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）的特征尺寸已进入亚20纳米时代。晶体管的微缩化进程面临着日益增多且极其复杂的器件物理和工艺技术问题。当器件尺寸进入深纳米以后,短沟道效应尤为突出,严重影响了器件的性能和应用。因此,为了使得晶体管的特征尺寸能够按照摩尔定律等比例缩小,满足下一代性能要求的纳米级MOSFET器件结构的研究显得尤为重要。MOSFET属于电场控制型电子器件,器件内部的电场控制着载流子输运。为此,本文以高性能纳米MOSFET的新结构为研究课题,针对纳米级器件中存在的栅极对沟道的控制能力减弱的问题,在三种电场调制技术（栅工程、沟道工程和侧墙工程）理论的指导下,通过对开启状态和关断状态下器件有效沟道长度的进一步调制,改善栅极控制能力,抑制了短沟道效应,同时提高器件的驱动电流,降低其泄漏电流,获得了几种具有高开关电流比的新型纳米级MOSFET结构,为今后纳米级器件的微缩化进程提供理论指导。首先,根据泊松方程和栅工程理论边界条件,得出了应... 

【文章来源】：哈尔滨工程大学黑龙江省 211工程院校

【文章页数】：136 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

CPU/GPU/FPGA上晶体管数量的变化趋势

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【参考文献】：
期刊论文
[1]Dual material gate doping-less tunnel FET with hetero gate dielectric for enhancement of analog/RF performance[J]. Sunny Anand,R.K.Sarin.  Journal of Semiconductors. 2017(02)



本文编号：3537063