AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射

发布时间：2021-12-16 17:43

　　Al Ga N/Ga N界面处的二维电子气迁移率是描述高电子迁移率晶体管特性的一个重要参数,极化光学声子散射是高温时限制二维电子气迁移率的主要散射机制.本文对极化光学声子散射进行计算,结果表明在二维电子气浓度为6×10¹¹—1×10¹³ cm^–2,温度为200—400 K范围内,极化光学声子散射因素决定的迁移率随温度的变化近似为μPO=AT-α（α=3.5）;由于Ga N中光学声子能量较大,吸收声子对迁移率的影响远大于发射声子的影响.进一步讨论了极化光学声子散射因素决定的迁移率随光学声子能量变化的趋势,表明增加极化光学声子能量可提高二维电子气的室温迁移率. 

【文章来源】：物理学报. 2020,69(15)北大核心EISCICSCD

【文章页数】：6 页

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3538554