射频前端在高功率毫米波辐射下的非线性研究
发布时间：2021-12-16 12:51
应用了目前最先进电子科学技术与信息科学技术的有源相控阵雷达在我国的经济发展以及国防建设中有着广泛的应用。而作为有源相控阵雷达“心脏”的T/R组件经过混合微波集成电路以及单片微波集成电路两个阶段目前已经发展到全单片阶段,更小体积以及更小耗能大大降低了成本并且提高了性能,但是更小的体积以及更加复杂的结构使得T/R组件抗高功率微波干扰的能力大大降低。高功率微波技术的进步使得许多新兴的电子武器被提出,这使得相控阵雷达电子系统面对更加复杂的电磁环境。高功率微波能够进入电子系统并与之发生作用对电子系统或器件的性能造成影响。因此本文的主要目的在于研究高功率微波对相控阵雷达T/R组件的非线性效应,探索高功率微波对相控阵雷达T/R组件的效应机理,获得效应阈值。本文主要首先对有源相控阵雷达T/R组件以及高功率微波非线性效应进行理论研究。在理论研究中,明确了T/R组件的技术要点与技术指标,并对T/R组件中的放大器以及移相器的原理以及技术指标进行深入研究,对高功率微波的非线性压缩效应以及非线性损伤效应的效应原理进行研究。在理论研究的基础上采用注入实验的方法,对Ka波段相控阵雷达T/R组件收发放大芯片以及幅相控...
【文章来源】： 电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：68 页
【文章目录】：
摘要
abstract
第一章 绪论
1.1 相控阵雷达的背景及意义
1.2 相控阵雷达T/R组件
1.2.1 T/R组件在有源相控阵雷达中的作用
1.2.2 T/R组件的发展概况
1.3 高功率微波效应
1.3.1 高功率微波武器及其特点
1.3.2 高功率效应及其作用对象
1.3.3 高功率微波效应的研究方法
1.3.4 高功率微波效应的研究现状
1.4 学位论文研究简述
第二章 相控阵雷达T/R组件的原理
2.1 T/R组件的系统结构
2.1.1 T/R组件的组成
2.1.2 T/R组件的工作原理
2.2 T/R组件的技术要求与技术指标
2.2.1 T/R组件的技术要求
2.2.2 T/R组件的技术指标
2.3 放大器的理论基础与技术指标
2.3.1 噪声系数
2.3.2 功率增益
2.3.3 动态范围
2.4 移相器的理论与技术指标
2.4.1 移相器的分类
2.4.2 移相器的主要技术指标
2.5 小结
第三章 Ka波段T/R组件的HPM压缩效应研究
3.1 HPM线性效应与非线性效应
3.2 非线性压缩效应的原理
3.3 Ka波段相控阵雷达T/R组件的非线性压缩效应实验研究
3.3.1 芯片的选型与测试夹具的加工
3.3.2 实验原理与平台搭建
3.3.3 实验的过程以及结果分析
3.4 小结
第四章 Ka波段相控阵雷达T/R组件的HPM损伤效应研究
4.1 研究内容与测试指标
4.2 芯片的选型与测试平台的搭建
4.2.1 芯片的选型
4.2.2 测试平台的搭建
4.3 收发放大多功能芯片和幅相控制芯片的大功率脉冲测试
4.3.1 检波器与衰减器的标定
4.3.2 收发放大多功能芯片大功率脉冲测试
4.3.3 幅相控制芯片的大功率脉冲测试
4.4 Ka波段相控阵雷达T/R组件关键芯片的损伤机理研究
4.5 小结
第五章 总结
致谢
参考文献
【参考文献】：
期刊论文
[1]MMIC在T/R组件中的应用 [J]. 刘秀博,吴洪江. 半导体技术. 2015(11)
[2]T/R组件核心技术最新发展综述(一) [J]. 吴礼群,孙再吉. 中国电子科学研究院学报. 2012(01)
[3]相控阵雷达机电一体化与机电耦合 [J]. 束咸荣,何炳发,郭先松. 电子机械工程. 2008(06)
[4]电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析 [J]. 李用兵,王海龙. 半导体技术. 2008(10)
[5]有源相控阵雷达技术发展趋势 [J]. 蒋庆全. 国防技术基础. 2005(04)
[6]固态有源相控阵雷达的成本控制 [J]. 周燕. 现代雷达. 2003(08)
[7]集成电路器件微波损伤效应实验研究 [J]. 方进勇,申菊爱,杨志强,乔登江. 强激光与粒子束. 2003(06)
博士论文
[1]硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计[D]. 刘超.电子科技大学. 2016
[2]应用于相控阵收发组件的射频/微波集成电路设计[D]. 杨小峰.西安电子科技大学. 2014
[3]半导体器件的电磁损伤效应与机理研究[D]. 任兴荣.西安电子科技大学. 2014
硕士论文
[1]集成器件的高功率微波效应研究与相应防护[D]. 陈权.西安电子科技大学. 2013
[2]数字T/R组件收发前端的设计与研究[D]. 江姗姗.南京理工大学. 2012
[3]毫米波收发组件研究[D]. 黄铭.电子科技大学. 2008
本文编号：3538169
【文章来源】： 电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：68 页
【文章目录】：
摘要
abstract
第一章 绪论
1.1 相控阵雷达的背景及意义
1.2 相控阵雷达T/R组件
1.2.1 T/R组件在有源相控阵雷达中的作用
1.2.2 T/R组件的发展概况
1.3 高功率微波效应
1.3.1 高功率微波武器及其特点
1.3.2 高功率效应及其作用对象
1.3.3 高功率微波效应的研究方法
1.3.4 高功率微波效应的研究现状
1.4 学位论文研究简述
第二章 相控阵雷达T/R组件的原理
2.1 T/R组件的系统结构
2.1.1 T/R组件的组成
2.1.2 T/R组件的工作原理
2.2 T/R组件的技术要求与技术指标
2.2.1 T/R组件的技术要求
2.2.2 T/R组件的技术指标
2.3 放大器的理论基础与技术指标
2.3.1 噪声系数
2.3.2 功率增益
2.3.3 动态范围
2.4 移相器的理论与技术指标
2.4.1 移相器的分类
2.4.2 移相器的主要技术指标
2.5 小结
第三章 Ka波段T/R组件的HPM压缩效应研究
3.1 HPM线性效应与非线性效应
3.2 非线性压缩效应的原理
3.3 Ka波段相控阵雷达T/R组件的非线性压缩效应实验研究
3.3.1 芯片的选型与测试夹具的加工
3.3.2 实验原理与平台搭建
3.3.3 实验的过程以及结果分析
3.4 小结
第四章 Ka波段相控阵雷达T/R组件的HPM损伤效应研究
4.1 研究内容与测试指标
4.2 芯片的选型与测试平台的搭建
4.2.1 芯片的选型
4.2.2 测试平台的搭建
4.3 收发放大多功能芯片和幅相控制芯片的大功率脉冲测试
4.3.1 检波器与衰减器的标定
4.3.2 收发放大多功能芯片大功率脉冲测试
4.3.3 幅相控制芯片的大功率脉冲测试
4.4 Ka波段相控阵雷达T/R组件关键芯片的损伤机理研究
4.5 小结
第五章 总结
致谢
参考文献
【参考文献】：
期刊论文
[1]MMIC在T/R组件中的应用 [J]. 刘秀博,吴洪江. 半导体技术. 2015(11)
[2]T/R组件核心技术最新发展综述(一) [J]. 吴礼群,孙再吉. 中国电子科学研究院学报. 2012(01)
[3]相控阵雷达机电一体化与机电耦合 [J]. 束咸荣,何炳发,郭先松. 电子机械工程. 2008(06)
[4]电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析 [J]. 李用兵,王海龙. 半导体技术. 2008(10)
[5]有源相控阵雷达技术发展趋势 [J]. 蒋庆全. 国防技术基础. 2005(04)
[6]固态有源相控阵雷达的成本控制 [J]. 周燕. 现代雷达. 2003(08)
[7]集成电路器件微波损伤效应实验研究 [J]. 方进勇,申菊爱,杨志强,乔登江. 强激光与粒子束. 2003(06)
博士论文
[1]硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计[D]. 刘超.电子科技大学. 2016
[2]应用于相控阵收发组件的射频/微波集成电路设计[D]. 杨小峰.西安电子科技大学. 2014
[3]半导体器件的电磁损伤效应与机理研究[D]. 任兴荣.西安电子科技大学. 2014
硕士论文
[1]集成器件的高功率微波效应研究与相应防护[D]. 陈权.西安电子科技大学. 2013
[2]数字T/R组件收发前端的设计与研究[D]. 江姗姗.南京理工大学. 2012
[3]毫米波收发组件研究[D]. 黄铭.电子科技大学. 2008
本文编号：3538169
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3538169.html
