新型PoP封装存储器的破坏性物理分析方法
发布时间:2021-12-17 13:21
新型封装堆叠(PoP)封装存储器的结构与常规封装不同,导致现行破坏性物理分析方法不完全适用于新型PoP存储器。对新型PoP存储器结构分析,找出了影响新型PoP封装存储器可靠性的典型缺陷。以某型号PoP封装存储器为例,运用3D-X-ray、金相切片、叠层芯片分离、非顶层芯片内部检查等关键技术,提出了一套适用性强、效率高的综合性破坏性物理分析方案,并通过实例验证了新型PoP封装存储器可靠性评估方法的有效性,同时也为后续标准的修订及其他先进封装器件的破坏性物理分析提供依据和帮助。
【文章来源】:太赫兹科学与电子信息学报. 2020,18(05)北大核心
【文章页数】:7 页
【部分图文】:
样品内部结构3D-X-ray整体典型形貌;(b)样品内部结构侧面典型形貌
引线框架表面镀层各层厚度;(b)引线框架局部放大典型形貌
新型PoP封装存储器的内部结构示意图
【参考文献】:
期刊论文
[1]振动载荷下三维封装的失效行为和疲劳特性分析[J]. 夏江,黄林轶,刘群兴,彭琦,徐华伟,韦胜钰. 半导体技术. 2018(02)
[2]倒装芯片组装集成电路开封方法[J]. 周帅,郑大勇,王斌. 太赫兹科学与电子信息学报. 2017(02)
[3]3D叠层封装集成电路的芯片分离技术[J]. 林晓玲,梁朝辉,温祺俊. 电子产品可靠性与环境试验. 2016(02)
[4]堆叠封装技术进展[J]. 邓仕阳,刘俐,杨珊,王曳舟,方宣伟,夏卫生,吴丰顺,方文磊,付红志. 半导体技术. 2012(05)
[5]湿热对PoP封装可靠性影响的研究[J]. 刘海龙,杨少华,李国元. 半导体技术. 2010(11)
本文编号:3540208
【文章来源】:太赫兹科学与电子信息学报. 2020,18(05)北大核心
【文章页数】:7 页
【部分图文】:
样品内部结构3D-X-ray整体典型形貌;(b)样品内部结构侧面典型形貌
引线框架表面镀层各层厚度;(b)引线框架局部放大典型形貌
新型PoP封装存储器的内部结构示意图
【参考文献】:
期刊论文
[1]振动载荷下三维封装的失效行为和疲劳特性分析[J]. 夏江,黄林轶,刘群兴,彭琦,徐华伟,韦胜钰. 半导体技术. 2018(02)
[2]倒装芯片组装集成电路开封方法[J]. 周帅,郑大勇,王斌. 太赫兹科学与电子信息学报. 2017(02)
[3]3D叠层封装集成电路的芯片分离技术[J]. 林晓玲,梁朝辉,温祺俊. 电子产品可靠性与环境试验. 2016(02)
[4]堆叠封装技术进展[J]. 邓仕阳,刘俐,杨珊,王曳舟,方宣伟,夏卫生,吴丰顺,方文磊,付红志. 半导体技术. 2012(05)
[5]湿热对PoP封装可靠性影响的研究[J]. 刘海龙,杨少华,李国元. 半导体技术. 2010(11)
本文编号:3540208
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3540208.html