微波宽带固态功率合成技术研究

发布时间：2021-12-23 11:55

　　随着通信技术的飞速发展,使得通信系统对宽频带、大功率等指标要求愈来愈高。因而推动了微波单片集成电路（MMIC:Microwave Monolithic Integrated Circuit）的发展。但是MMIC受到半导体工艺等方面的限制,往往单个功放单元难以满足系统高功率输出的要求,所以微波固态功率合成技术是一个重要的研究方向。在整个功率合成系统中,功率分配/合成器具有比较重要的地位,其低的损耗、良好的幅相特性能够有效地提高整个功率合成系统的合成效率。本文以微波宽带固态功率合成技术为研究方向,设计了基于扩展同轴波导以及悬置微带线的多路宽带功率分配/合成器。在本文第一章概述了微波固态功率合成技术的研究背景以及国内外的发展现状。第二章介绍了功率合成的基本理论以及分析了影响合成效率高低的关键因素。第三章介绍了扩招同轴波导的功率分配/合成器的设计方法,这种功分/合成器可以直接进行N路分配/合成,能够有效地缩减合成放大器的尺寸,基于此设计了2GHz-8GHz的6路、9路、12路、15路功分器,从仿真结果可以看出他们的回波损耗都大于15dB,插入损耗会随着路数的增多而增大;另外设计了6GHz-18... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：72 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

功率放大器件的输出功率与频率之间的关系

(b)图 1-2 12 路大功率合成器[12]。(a)三维模型图；(b)S 参数曲线 年，Hadrien Theveneau 等学者设计一款工作频段为 1-6GHz 的 8 器，如图 1-3 所示[13]。在整个工作频段内，插入损耗大部分小于 1的隔离度优于 10dB。这个功率合成器具有一个较宽的工作带宽、小的输入阻抗。图 1-3 8 路功率合成器[13]

第一章 绪论(b) 12 路大功率合成器[12]。(a)三维模型图；(b)S 参数曲ien Theveneau 等学者设计一款工作频段为 1-6G 1-3 所示[13]。在整个工作频段内，插入损耗大部优于 10dB。这个功率合成器具有一个较宽的工阻抗。

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于共面臂波导魔T的Ka频段功率合成放大器[J]. 褚庆昕,何殷健.  微波学报. 2018(06)
[2]微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展（续）[J]. 赵正平.  半导体技术. 2015(02)
[3]Ka波段GaN HEMT大功率、高效率放大器MMIC[J]. 杜鹏搏,徐伟,王生国,高学邦,蔡树军.  半导体技术. 2013(05)
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[5]Kα频段平面集成窄带混频器[J]. 谢晋雄,薛良金,林为干.  红外与毫米波学报. 1991(05)

博士论文
[1]GaN高电子迁移率晶体管特性及其功率放大器研究[D]. 冷永清.湖南大学 2013
[2]基于波导的微波毫米波空间功率合成技术研究[D]. 宋开军.电子科技大学 2007



本文编号：3548432