InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器低温下光学特性研究

发布时间：2021-12-25 10:35

　　量子计算机凭借量子不确定性使计算机的信息处理速度得到极大的提升,可以快速有效的分解信息和处理信息,而量子计算机需要在低温下工作,需要实现低温和室温的数据传输并且能够解决器件工作时带来的热效应的影响。为了解决这一问题可以利用体积小、功耗低的半导体激光器。因此研制出能够在低温下稳定工作、低功耗和具有很高调制速度的半导体激光器对实现室温和低温数据高速传输十分重要,可以成为量子计算机发展的突破口,也是半导体激光器发展的一个重要方向。本论文针对In GaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在变温条件下,对激光器的一些性能进行研究,包括了在15 K到300 K的实验条件下,对激光器的输出特性、光谱调谐特性以及在不同温度下激光器的折射率和群折射率的计算,论文主要内容如下:1首先论文对半导体激光器的原理和应用进行了介绍,同时也对实验中所用的各种实验器件进行了叙述。2介绍了In GaAs/GaAs/In GaP 980 nm量子阱激光器材料的生长,包括分子束外延（MBE）技术,同时对In GaAs/GaAs/InGaP 980 nm量子阱激光器材料的结构和器件制造的工艺流程进行了介绍。3研究了激光器的... 

【文章来源】：曲阜师范大学山东省

【文章页数】：50 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

半导体激光器的简单结构

Nicolet公司的iS50R傅里叶红外光谱仪

ITC4020带温控电流源

【参考文献】：
期刊论文
[1]808nm连续输出13.6W单芯片大功率激光器[J]. 李沛旭,殷方军,张成山,开北超,孙素娟,江建民,夏伟,徐现刚.  中国激光. 2018(01)
[2]大范围连续调谐的InAs/InP（100）外腔量子点激光器[J]. 高金金,严进一,柳庆博,赵旺鹏,荣春朝,龚谦.  光电子·激光. 2016(09)
[3]光谱稳定的低功耗980nm单模泵浦源半导体激光器[J]. 李辉,都继瑶,曲轶,张晶,李再金,刘国军.  发光学报. 2016(01)
[4]InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子[J]. 许海鑫,王海龙,严进一,汪洋,曹春芳,龚谦.  发光学报. 2015(05)
[5]980nm高稳定度激光泵浦源控制系统[J]. 田小建,尚祖国,高博,吴戈.  光学精密工程. 2015(04)
[6]中国第一代半导体激光器的研制[J]. 康静,李艳平.  中国科技史杂志. 2014(01)
[7]大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性[J]. 胡黎明,李再金,秦莉,杨晔,王烨,刘云,王冰冰,王立军.  中国激光. 2010(02)
[8]大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性[J]. 裘利平,郭伟玲,罗丹,崔碧峰,张蕾,沈光地.  中国激光. 2009(06)
[9]Theoretical model of optical fiber secure communication system with chaotic multiple-quantum-well lasers[J]. YAN Sen-lin* (Department of Physics, Nanjing Xiaozhuang College, Nanjing 210017, China).  Optoelectronics Letters. 2007(05)
[10]46.2W连续输出808nm高功率无铝半导体激光线阵模块[J]. 曲宙,刘云,王祥鹏,苏华,套格套,王超,单肖楠,姚迪,王立军.  发光学报. 2006(05)



本文编号：3552296