芯片铜互连研究及进展

发布时间：2021-12-29 05:41

　　本文详细介绍芯片制造中铜互连技术,综述酸性硫酸铜电镀工艺要点及常用添加剂作用机理,并概述国内外新型添加剂研究进展.在此基础上,展望新型铜互连工艺替代酸性硫酸电镀铜工艺的可能性. 

【文章来源】：电化学. 2020,26(04)北大核心CSCD

【文章页数】：10 页

【部分图文】：

0 含有Cl-离子和SPS的酸性镀铜液的SERS光谱[28]

1 MPS加速铜沉积作用机制：内球型的电子传递[29]

2 JGB在阴极表面还原[31]

【参考文献】：
期刊论文
[1]55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究[J]. 曾绍海,林宏,陈张发,李铭.  复旦学报(自然科学版). 2018(04)
[2]利用电镀铜填充微米盲孔与通孔之应用[J]. 窦维平.  复旦学报(自然科学版). 2012(02)
[3]铜电化学沉积在微孔金属化中的应用[J]. 杨防祖,吴伟刚,田中群,周绍民.  物理化学学报. 2011(09)
[4]柠檬酸盐体系铜电沉积及其在微机电系统中的应用[J]. 吴伟刚,杨防祖,骆明辉,田中群,周绍民.  物理化学学报. 2010(10)



本文编号：3555510