基于多级钳位与门信号调节相结合的IGBT串联均压电路研究

发布时间：2021-12-29 19:26

　　串联绝缘栅双极型晶体管（insulate gate bipolar transistor,IGBT）关断期间的电压均衡是保证其安全稳定工作的关键。该文在多级钳位均压方式的基础上,提出一种同时作用于负载侧与门极侧的IGBT串联均压电路,该均压电路通过对先关断的IGBT电压上升斜率的抑制来实现保护与均压的功能。同时,利用静态均压电路与状态反馈电路相结合的方式,依据关断瞬态各IGBT承压实时调整驱动信号发出时刻,从控制级削弱不均压因素的影响。该文在给出均压电路拓扑的同时,分析其工作原理及设计方法,实验结果证明,依据该方法设计的均压电路能在不影响关断速度的前提下有效提高串联IGBT间电压的一致性。 

【文章来源】：中国电机工程学报. 2020,40(13)北大核心EICSCD

【文章页数】：14 页

【部分图文】：

图6串联IGBT实验平台Fig.6Testplatformforseries-connectedIGBTsIGBT(电路板下方)

无均压电路时串联IGBT关断电压波形Fig.7Turn-offVCEresponseofseries-connectedIGBTst(5s/格)

应用RCD均压电路t(5s/格)

【参考文献】：
期刊论文
[1]IGBT集电极电压高精度测量方法研究[J]. 胡亮灯,赵治华,孙驰,任强.  电机与控制学报. 2018(06)
[2]基于门极阻容补偿网络的IGBT串联均压方法[J]. 梅桂芳,安昱,张建.  电工技术学报. 2017(04)
[3]一种适用于固态直流断路器的IGBT串联均压电路[J]. 张帆,杨旭,任宇,陈颖,苟锐锋.  中国电机工程学报. 2016(03)



本文编号：3556737