一种12位A/D转换器电路可靠性设计方法研究

发布时间：2021-12-30 17:05

　　随着模拟集成电路朝高精度、高速度和低功耗方向发展,其集成度越来越高,器件特征尺寸越来越小,器件中寄生效应、电流密度不断增强,导致器件对缺陷的敏感度也大大增加;同时新的应用要求模拟集成电路扩展其工作领域在高压、高温、强辐射、高频和大功率等恶劣条件下,这都使得模拟集成电路面临的可靠性问题日益严峻。本文选取一种12位A/D转换器电路为研究对象,开展适应A/D类模拟集成电路特点的可靠性设计技术研究,形成一套完善、有效的设计参考方法。通过对模拟集成电路可靠性设计技术全面、定量的分析与设计研究,从而保证模拟集成电路的可靠应用,满足高可靠性模拟集成电路的需求,弥补传统可靠性设计方法不全面的不足。本文主要研究内容为:1、模拟集成电路容差设计方法研究对于模拟集成电路来说,由于实际芯片生产工艺中与理想情况存在差异、实际工作环境中器件工作条件与理想情况存在差异,本文针对在模拟集成电路设计过程中的差异,利用计算机协助进行参数选择,保障器件的性能满足工作需求。2、抗辐射加固设计研究辐射导致整机中的模拟集成电路参数退化甚至完全失效,从而整机无法正常工作。因此,本文针对模拟集成电路抗辐射加固设计方法进行研究,针对模... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：77 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

2位A/D转换器整体电路框图

比较器电路框图

电荷重分布D/A核框图

【参考文献】：
期刊论文
[1]体硅集成电路版图抗辐射加固设计技术研究[J]. 田海燕,胡永强.  电子与封装. 2013(09)
[2]动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应[J]. 徐申,张春伟,刘斯扬,王永平,孙伟锋.  东南大学学报(自然科学版). 2013(04)
[3]抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计[J]. 赵源,徐立新,赵琦,金星.  中国空间科学技术. 2013(03)
[4]微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计[J]. 罗俊,郝跃,秦国林,谭开洲,王健安,胡刚毅,许斌,刘凡,黄晓宗,唐昭焕,刘勇.  微电子学. 2012(02)
[5]深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型[J]. 刘富财,蔡翔,罗俊,刘伦才,石建刚.  微电子学. 2012(02)
[6]提高电路中元器件的使用可靠性[J]. 陈龙云,陈凤云.  电子产品可靠性与环境试验. 2010(04)
[7]塑封器件失效机理及其快速评估技术研究[J]. 张鹏,陈亿裕.  半导体技术. 2006(09)
[8]集成电路的现状及其发展趋势[J]. 冯亚林,张蜀平.  微电子学. 2006(02)
[9]直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为(英文)[J]. 霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真.  半导体学报. 2003(02)
[10]电路的容差分析仿真及在电路设计中的应用[J]. 赵细云,曾杰军,钱慰宗.  电子工程师. 2002(11)

博士论文
[1]CMOS射频集成电路片上ESD防护研究[D]. 杜晓阳.浙江大学 2009

硕士论文
[1]0.18μm CMOS军品级标准单元库的设计[D]. 彭代珉.国防科学技术大学 2007



本文编号：3558629