SN74LS00N芯片高电平输出特性的理论与实验研究

发布时间：2022-01-13 03:18

　　本文通过对目前流行的四家SN74LS00N与非门集成电路芯片的高电平输出特性(输出电压V_OH与拉电流I_OH的关系)的理论和实测研究,给出几乎所有讲解74LS00门电路的《数字电子技术》教材中忽略的和缺失的但确实应该给出的真实输出特性,同时还给出了拟合两个关键的内部电路参数的方法,这对廓清许多教师和电子工程师对输出高电平最小电压V_OH（min）和最大电流I_OH（max）的理解有帮助,并对该系列电子器件的实验教学、相关电子工程设计,以及对该课教材的编写、出版和教学起到积极的推动作用。 

【文章来源】：电子器件. 2020,43(03)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

与非门74LS00的原理电路[11]

四家SN74LS00N芯片

图3给出了SN74LS00N(A. HLF)芯片的第1个与非门在两个输入端同时接地时的VOH-IOH特性的测试结果。为了保护集成电路,测量拉电流范围确定原则是:既要VOH>VOH(min)=2.7 V,又要保证集成电路输出部分内部功耗P<20 mW。


本文编号：3585960