ITO厚度对AlGaInP发光二极管特性的研究

发布时间：2022-01-15 18:51

　　采用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长AlGaInP红光发光二极管器件,在表层GaP上沉积氧化铟锡透明导电层,使用扫描电镜分析器件外观、透射电镜观察器件各层结构、半导体测试机测试其光电参数、回流焊验证器件的热稳定性、X射线光电子能谱分析氧化铟锡透明导电层中In、O元素化合态;研究了不同氧化铟锡透明导电层厚度对器件光电参数、热稳定性、发光角度的影响,结果表明随着氧化铟锡透明导电层厚度增加器件电压降低、发光亮度先增加后下降,热稳定性随厚度增加而变好,发光角度随厚度增加而减小。 

【文章来源】：真空科学与技术学报. 2020,40(01)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验过程
2 实验结果与讨论
    2.1 结构特性分析
    2.2 光电参数特性分析
    2.3 热稳定性分析
    2.4 发光角度分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]GaP表面粗化对AlGaInP发光二极管光电特性的影响[J]. 肖和平,朱迪.  光电子·激光. 2018(12)
[2]尺度对金属材料电阻率影响的研究进展[J]. 张广平,李孟林,吴细毛,李春和,罗雪梅.  材料研究学报. 2014(02)



本文编号：3591141