基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料

发布时间：2022-02-16 12:00

　　<正>南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化（图1）,改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 um厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层（002）和（102）面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec（图2）,与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm²/（V·s）,材料结晶质量和电学特性获得显著提升。 

【文章来源】：固体电子学研究与进展. 2020,40(01)北大核心

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本文编号：3627930