N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）

发布时间：2022-02-17 20:53

　　由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸（1英寸=2.54cm）偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线衍射仪（HR-XRD）、原子力显微镜（AFM）、Raman光谱仪和扫描电子显微镜（SEM）等对材料进行了表征。结果表明,N极性面GaN/AlGaN异质结材料的二维电子气面密度和迁移率分别为0.92×1013cm^-2和1035cm²/（V·s）。制备了N极性GaN/AlGaN异质结场效应晶体管（HFET）。测试结果表明,1μm栅长的n极性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨导为88.9mS/mm,峰值电流为128mA/mm。 

【文章来源】：半导体技术. 2016,41(02)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 Introduction
2 Experiments and Discussions
3 Conclusions



本文编号：3630089