光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

发布时间：2022-02-17 21:16

　　围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器（VCSELs）,设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱（QWs）样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率（IQE）和更高的辐射复合效率。使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值。结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件。 

【文章来源】：发光学报. 2020,41(01)北大核心EICSCD

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 引 言
2 材料设计与VCSEL器件制备
3 外延片测量结果和讨论
    3.1 光致发光(PL)随温度的变化
    3.2 时间分辨光致发光测量
4 VCSEL测试结果
4 结 论



本文编号：3630117