InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响

发布时间：2022-02-20 16:48

　　采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层,采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发射谱（TRPL）研究了量子点在不同低温盖层下的荧光发光性质。对比了常规方法和速率调制外延（FME）法生长GaAs低温盖层的量子点质量,结果表明,FME法生长低温盖层的量子点荧光发射谱光强更强且发光寿命达到0.6ns,明显优于普通方法生长低温盖层的量子点发光寿命。 

【文章来源】：半导体光电. 2020,41(01)北大核心

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响[J]. 田芃,黄黎蓉,费淑萍,余奕,潘彬,徐巍,黄德修.  物理学报. 2010(08)
[2]InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响[J]. 孔令民,姚建明,吴正云.  半导体光电. 2008(03)



本文编号：3635451