单槽调制应变的NLDMOS研究

发布时间：2022-07-16 17:36

　　作为射频领域的研究热点,功率器件LDMOS具有高耐压、好的热稳性、以及便于和普通MOS工艺集成等方面的优点。在器件小型化趋势下,LDMOS常常引入应变技术来提升性能,其中CESL应变技术由于工艺简单而常被使用。通常为了在沟道引入增强电子迁移率的张应力,NLDMOS表面会淀积一层张应变CESL,但这会在漂移区引入抑制电子迁移率的压应力。有研究通过在栅极区和漂移区分别选择性地淀积张应变和压应变CESL来解决这个问题,但这样会使相关的工艺复杂化。有鉴于此,我们提出了一种基于槽型结构的NLDMOS器件,同时选择压应变CESL作为应力源。槽型结构会调制器件应力分布,在沟道和漂移区同时实现张应力,从而有效提升器件性能。首先我们利用Sentaurus仿真软件研究了槽型结构对NLDMOS沟道和漂移区应力分布的影响。计算结果表明,在常规器件中,漂移区为张应力但沟道区却被引入了压应力。而在单槽器件中,由于槽型结构的应力调制作用,沟道应力由压应力转变为张应力,同时漂移区的张应力也得到了增强。我们还研究了槽型结构对沟道和漂移区应力的调制机理,并以之为基础进行了结构优化,发现器件对槽型结构的深宽比没有特殊要求。... 

【文章页数】：57 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

器件表面的XX,YY和ZZ分量的应力分布

（a）基于单槽结构的LDMOS器件剖面图；（b）常规LDMOS器件的剖面图(每个器件中的CESL根据其位置分为三个部分)

仅源侧CESL施加应力下器件表面应力分布

【参考文献】：
期刊论文
[1]氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用[J]. 于映,吴清鑫,罗仲梓.  传感技术学报. 2006(05)
[2]PECVD SiNx薄膜应力的研究[J]. 赵永军,王民娟,杨拥军,梁春广.  半导体学报. 1999(03)



本文编号：3662960