具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析

发布时间：2022-12-09 01:18

　　为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏电极的漂移区之间引入部分本征GaN帽层,由于本征GaN帽层和Al GaN势垒层界面处的极化效应,降低了沟道二维电子气（two dimensional electron gas,2DEG）的浓度,形成了栅边缘低浓度2DEG区域,使得沟道2DEG浓度分区,由均匀分布变为阶梯分布.通过调制沟道2DEG的浓度分布,从而调制了Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场.利用电场调制效应,产生了新的电场峰,且有效降低了栅边缘的高峰电场,Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布更加均匀.利用ISE-TCAD软件仿真分析得出:通过设计一定厚度和长度的本征GaN帽层,Al GaN/GaN HEMTs器件的击穿电压从传统结构的427 V提高到新型结构的960 V.由于沟道2DEG浓度减小,沟道电阻增加... 

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【文章目录】：
1 引言
2 器件结构
3 仿真结果与分析
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]F离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT器件耐压分析[J]. 段宝兴,杨银堂,陈敬.  物理学报. 2012(22)



本文编号：3714521