基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计

发布时间：2023-02-12 08:26

　　采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。

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【文章目录】：
0 引言
1 工艺选择
2 电路设计
    2.1 主放大器模块的设计
    2.2 差分模块的设计
    2.3 输出缓冲模块的设计
3 版图设计及后仿结果
4 结语



本文编号：3740741