倍增层厚度对In 0.53 Ga 0.47 As/InP雪崩二极管器件特性的影响

发布时间：2023-02-12 08:55

　　利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In_0.53Ga_0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度、电流特性、击穿电压与贯穿电压的影响规律,结果表明,随着倍增层厚度的增加,倍增层内电场强度减小,贯穿电压和击穿电压同时增大,与实验结果吻合。进一步研究发现,当倍增层的厚度小于0.8μm时,击穿电压随着倍增层厚度的增加会先减小后增大,贯穿电压则会单调增大。

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【文章目录】：
1 引 言
2 APD器件的制备和性能分析
3 器件性能的仿真分析
4 结 论



本文编号：3740783