IGBT串联电压失衡机理研究

发布时间：2023-03-06 20:09

　　在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作。因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法。通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致。

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【文章目录】：
0 引言
1 IGBT串联电压失衡因素
    1.1 IGBT串联电压失衡机理
    1.2 影响IGBT串联动态电压失衡的因素
        1.2.1 IGBT器件本身的影响
        1.2.2 外围电路的影响
        1.2.3 温度差异的影响
        1.2.4 IGBT驱动的影响
        1.2.5 回路寄生电容的影响
2 结论



本文编号：3757302