一种内嵌NMOS的抗闩锁双向MHVDDSCR

发布时间：2023-03-29 01:27

　　针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR)。在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场增强,提高了维持电压。采用Sentaurus TCAD进行了仿真验证。结果表明,相比于传统LT_DDSCR,MHVDDSCR的触发电压降低了0.61 V,维持电压从2.10 V提高到7.13 V。该器件适用于狭窄ESD设计窗口的模拟IC的双向静电防护。

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【文章目录】：
0 引 言
1 器件的ESD防护原理
    1.1 传统LT_DDSCR
    1.2 MHVDDSCR设计
2 ESD特性与分析
    2.1 仿真测试结果
    2.2 机理验证
3 闩锁免疫优化与分析
4 结 论



本文编号：3773704