基于超薄Al 2 O 3 栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用

发布时间：2023-03-29 05:21

　　随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al₂O₃为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al₂O₃栅绝缘层对TFT器件的影响。其中,20 nm超薄Al₂O₃栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52cm²/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×10⁷的高开关比。同时,器...

【文章页数】：10 页

【文章目录】：
1 引 言
2 实 验
3 结果与讨论
    3.1 物态与形貌分析
    3.2 Al2O3栅绝缘层厚度对TFT器件性能的影响
    3.3 偏压稳定性
    3.4 分布均一性
    3.5 共源极放大电路
4 结 论



本文编号：3774085