1.2kV碳化硅MOSFET瞬态可靠性研究

发布时间：2023-04-01 16:40

　　随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点。文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征。通过搭建短路和UIS测试通用的测试平台进行实验,对短路和UIS失效机理进行分析。通过对商用器件进行重复性测试,研究器件在两种瞬态可靠性测试下性能退化情况,对器件内部退化机理进行合理的分析。

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
0 引 言
1 短路与UIS失效的基本原理
    1.1 短路失效的基本原理
        1)时间段1(t1～t2)。
        2)时间段2(t2～t3)。
        3)时间段3(t3～t4)。
        4)时间段4(t4～)。
    1.2 UIS失效的基本原理
2 实验平台
3 测试结果以及分析
    3.1 短路测试结果
    3.2 UIS测试结果
4 结 论



本文编号：3777491