新型低功耗金属氧化物TFT集成行驱动电路

发布时间：2023-05-10 03:16

　　金属氧化物薄膜晶体管(TFT)属于耗尽型器件,其集成的TFT的行驱动电路一般采用双负电源方案,存在与外围驱动芯片的匹配困难和功耗较大的不足。本文设计了一种新型耦合电路结构,可以产生比负电源更低的电压从而完全关闭输出模块的下拉晶体管,防止氧化物TFT耗尽模式引起的电流泄露问题,并由此设计了新型氧化物TFT行驱动电路拓扑。由于只采用一个负电源,其电源电压范围比采用双负电源方案的小,从而节省了功耗且有利于与外围驱动芯片的匹配连接。实验结果表明,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,在电阻负载R_L=3 kΩ和容性负载C_L=30 pF下,所设计的行驱动电路在33.3 kHz时钟频率下实现脉宽10μs的全摆幅输出,每级功耗仅为160μW。基于新型耦合电路结构的行驱动电路能够满足60 Hz的刷新频率的1 980×1 080分辨率的显示需求。

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 引 言
2 金属氧化物薄膜晶体管工艺
3 电路拓扑与工作原理
    3.1 行驱动电路拓扑
    3.2 行驱动电路驱动时序及模块连接关系
4 结果与讨论
    4.1 SmartSpice仿真
    4.2 实验及测试结果
5 结 论



本文编号：3812919