基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器（英文）

发布时间：2024-03-11 01:15

　　介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在340～490 GHz的宽带内,变频损耗在14.2～20 dB之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为4020～17100 K。

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【部分图文】：

图２平面肖特基二极管截面图及寄生参数??

?ｔｈｅ?Ｓｃｈｏｔｔｋｙ?ｄｉｏｄｅ?ｉｓ??Ｍｅｔａｌ??Ｂｕｆｆｅｒ?ｌａｙｅｒ??＾ｈ－??Ａｉｉｏｄｅ?Ｓｃｈｏｔｔｋｙ??ｃｏｎｔａｃｔ??Ｉ—Ｅｐｉｉａｘｉａｌｌａｙｅｒｌ?．??Ｏｘｉｄｅ??ｌａｙｅｒ??Ｃａｔｈｏｄｅ??Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ??１?厂??Ｏｈｍｉ....

图３?Ｕ）平面肖特基二极管的三维电磁模型；（ｂ）中电十三所??

ｅｘｔｅｒｎａｌ?ｍａｔｃｈｉｎｇ?ｎｅｔｗｏｒｋ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｆｏｕｒｔｈ－??ｈａｒｍｏｎｉｃ?ｍｉｘｅｒ?ｉｓ?ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ?ｔｏ?ｒｅａｌｉｚｅ?ｔｈｅ?ｌＤｅｓｔ?ｐｅｉｆｏｒ－??ｍａｎｃｅｓ．??（ｂ）??Ｆｉｇ．?３?（ａ）?Ｔｈｅ?３Ｄ?ＥＭ?ｍｏｄｅｌ....

图４?（ａ）二极管肖特基结简化模型；（ｂ）肖特基二极管等效电??Ｃａｔｉｉｏｄｅ?ｐｔ??ｃｏｎｔａｃｔ??

．??Ｆｒｏｍ?ｔｈｅ?ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｉｎ?Ｆｉｇ．?４，?ｔｈｅ?ｒｅｌａｔｉｏｎｓ??ｂｅｔｗｅｅｎ?ｔｈｅ?ｊｕｎｃｔｉｏｎ?ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?／？，，?ｔｈｅ?ｊｕｎｃｔｉｏｎ?ｃａｐａｃｉ－??Ａｉｉｏｄｅ??Ｃａｔｈｏｄｅ??（ａ）?（ｂ）....

图５应用于本文四次谐波混频器的肖特基二极管的相关结??构尺寸??

ｔｈｅ?Ｓｃｈｏｔｔｋｙ?ｄｉｏｄｅｓ?ｎｅｅｄ?ｔｏ?ｂｅ?ｌａｒｇｅ?ｅｎｏｕｇｈ．?Ｉｎ?ｔｈｉｓ?ｄｅ？??ｓｉｇｎ，?ｔｈｅ?ｐａｄ?ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ?ａｒｅ?４５?（ｘｍ?ｘ?２７?（ｘｍ．??５０ｐｍ??Ｅｐｉｔａｘｉａｌ?ｌａｙｅｒ??Ａｉｒ－ｂｒｉｄｇｅ?Ｆ....

本文编号：3925597