基于不同组合方式二硒吩的有机半导体材料的合成及其场效应性能研究

发布时间：2024-05-19 02:29

　　硒吩衍生物由于分子间容易产生Se···Se相互作用而使固态下分子排列更加紧密有序,分子间电荷转移增强,有助于载流子的传输,并逐渐应用于有机光电材料领域。本论文以硒吩为起始原料,通过改变硒吩单元组合方式以及封端基团中烷基构型,设计合成了六种硒吩基有机半导体材料。通过真空沉积法和溶液法加工其薄膜,构筑底栅顶接触式有机场效应晶体管器件并表征其性能,以探究其结构与性能之间的关系。具体研究内容如下:1)六种硒吩基有机半导体材料的合成:以硒吩为起始原料,通过醛基化、金属催化碳氢活化、McMurry反应、溴代、TMS基团保护、溴迁移碘代、Sonogashira Coupling及硒粉关环等反应合成了三种不同组合方式的二硒吩双醛基化衍生物,即:E-5,5’-(乙烯-1,2-叉基)二(硒吩-2-甲醛),2,2’-二硒吩-5,5’-二甲醛和硒吩[3,2-b]并硒吩-2,5-二甲醛。醛基化产物经Wittig反应合成了六种基于不同组合方式二硒吩的有机半导体材料,即:1,2-二(5-(4-辛基苯乙烯基)-硒吩)-2-乙烯(1,总产率:41.8%),5,5’-二(4-辛基苯乙烯基)-2,2’-二硒吩(2,总产率:...

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1-1有机场效应晶体管结构示意图

0.4(hole)QQT(CN)4(SC)200-[49]20160.942,6-Bis(4-pentyphylethynyl)anthracen(v)-[50]0.63(s)20172.62-EO-DNTT(s)-[51]9.70(electron)P2F....

图1-2底栅顶接触场效应晶体管的结构示意图，W为沟道宽度，L为沟道长度

般优于底接触器件。但是由于顶接触结构并构有机场效应晶体管的实际应用。应晶体管的工作原理基于自由载流子向半导体中可控注入的有源注入载流子，漏极(Drain)从沟道流出载流子相隔，源极和漏极直接与有机半导体层接触栅极是电容器的一个平板，源极和漏极之间对栅极施加电压(VG)时，....

图1-4薄膜三种生长模式的示意图

沉积(vacuumdeposition)技术是有机场效应晶体管最常用的成膜技术料放置于真空室内，在真空条件下，将固体材料加热蒸发，蒸发出会吸附到放置于真空室内的基底上形成薄膜。该方法适用于绝大多性高的有机半导体材料，但是仪器成本较高，所消耗的样品较多，备。沉积过程中薄膜的生....

图1-5化合物四硫杂[22]环轮烯[2,1,2,1]在OTS修饰基底上真空沉积50nm薄膜AFM图

基于不同组合方式二硒吩的有机半导体材料的合成及其场效应性能研究器件性能。2007年，Zhao等人采用真空沉积法研究了四硫杂[22]环轮烯[2,1,2,1]在基底温度下薄膜的生长模式。在OTS修饰的SiO2/Si基底上，采用不同基底温度沉材料，采用原子力显微镜表征薄膜形....

本文编号：3977486