发光二极管微显示器设计与光电特性

发布时间：2024-05-25 00:07

　　发光二极管(LED)作为通用照明产品得到了广泛的应用。微米尺寸LED(即MicroLED通常小于100μm)作为显示技术的核心元器件,具有亮度高、功耗低、响应速度快、能与大规模集成电路结合等优点,可以满足智能穿戴显示的需求。本论文中介绍了不同类型的微显示技术。对50μm×50μm元像素电路进行了设计和拟合计算。基于3套光掩模(photomask)工艺,在6英寸蓝宝石衬底蓝光GaInN外延片上制作了显示区域为9.6mm×5.4mm,对角线尺寸为0.42英寸;面取数为100;分辨率为480×270(1/16高清);像素密度为1310 PPI(Pixel Per Inch);像素点距为20 μm的蓝色LED微显示器件。并对所制作蓝色LED微显示器件的光电特性进行了表征。研究内容包括:针对 LTPS TFT(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor)低温多晶硅薄膜晶体管存在阈值电压离散和漂移现象,验证了使用LTPS TFT驱动MicroLED像素阵列的可行性。本论文采用5T1C(5 Thin Film Transistor 1 Capa...

【文章页数】：76 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图１．１?（ａ）光调制型微显示器（ｂ）主动发光型微显示器工作原理??微显示器件通常分为两类：需要照明光源的光调制型微显示和主动发光型??微显示［２］

度超强、??像素密度超高、可与大规模集成电路结合等优点。微显示器件通常使用ＣＭＯＳ??背板驱动，可将像素驱动电路、周边驱动电路等集成在一个芯片上。在产业化??上与传统液晶和有机发光厂商不同，开发者不需要在驱动面板上进行资金投入??和工艺幵发。??１．１微显示技术简介??（ａ）??....

图１．２?ＬＣｏＳ单像素（ａ）器件结构（ｂ）等效电路??传统大尺寸液晶显示器中通常使用（ＣｏｌｏｒＢｉｔｅｒ）彩膜实现全彩显示，但微显??示器件的应用场景往往要求其具有较高的分辨率和亮度

?第１章绪论???有?ＯＬＥＤ?微显示（Ｏｒｇａｎｉｃ?Ｌｉｇｈｔ?Ｅｍｉｔｔｉｎｇ?Ｄｉｏｄｅ?Ｍｉｃｒｏｄｉｓｐｌａｙ）和本论文研究的无机??发光二极管微显示（Ｌｉｇｈｔ?Ｅｍｉｔｔｉｎｇ?Ｄｉｏｄｅ?Ｍｉｃｒｏｄｉｓｐｌａｙ）。??１．１．１硅基液晶??图１．２（ａ）（ｂ）....

图１．３?ＬＣｏＳ场序彩色显示原理??

?第１章绪论???光进行调制后通过透镜阵列入射到观察者眼睛中。与使用彩膜实现彩色化相比，??使用场序彩色法可以显著提高光利用效率。??Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ??ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ??（ｉｒｅｅｎ?ＬＥＤ?－－ｆｅ：??Ｒｅｄ?ＬＥＤ?；?Ｌｅｎｓ?ａｒｒａｙ??一?Ｊｐ牛??’....

图１．４数字微镜（ａ）工作原理（ｂ）器件结构??

高了约一倍。ＴＲＰＤＭＤ结合（Ｓｕｐｅｒ??Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）超分辨率技术，可以使产品分辨率提高四倍，目前ＤＬＰ产品分辨率??最高可达４Ｋｘ２Ｋ。超分辨率技术是指将一幅高分辨的画面拆分为几幅低分辨率??的子画面，用低于人视觉系统（Ｃｒｉｔｉｃａｌ?Ｆｌｉｃｋｅｒ?Ｆｕｓｉｏｎ....

本文编号：3981415