PTCDI-C13 N型薄膜场效应晶体管性能及其应用研究

发布时间：2024-06-02 09:31

　　由于柔性有机场效应晶体管在可穿戴、便携式等电子学方面的重要应用,使其受到研究者的广泛关注。然而,相比于p型柔性有机场效应晶体管,n型柔性有机场效应晶体管的发展相对滞后,性能较低,稳定性较差,且n型有机半导体的种类相对较少。鉴于n型有机场效应晶体管在电子电路及光电子电路等方面的重要应用,因此,稳定的n型柔性有机场效应晶体管的发展是十分必要的。其中,PTCDI-C13作为商业化的n型小分子材料,具有良好的电学、光电学性能以及优异的稳定性。本论文基于真空气相沉积法获得了高质量的PTCDI-C13有机薄膜,制备PTCDI-C13有机薄膜场效应晶体管,并研究其柔性器件电学性能和光电性能。主要内容如下:1.利用真空气相沉积法制备PTCDI-C13薄膜场效应晶体管,并通过优化绝缘层以及半导体的沉积条件,获得高性能稳定的PTCDI-C13薄膜晶体管。实验结果显示,当PTCDI-C13沉积的衬底温度为45℃,沉积速率为0.05?/s时,在PMMA、PVA和c-PVA三种柔性聚合物绝缘层上能够获得薄膜晶体管的最优场效应性能;且基于PMMA绝缘层制备的薄膜晶体管具有更高的场效应性能和更好的操作稳定性,器件的...

【文章页数】：63 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引言
    1.2 有机场效应晶体管简介
        1.2.1 有机场效应晶体管的工作原理
        1.2.2 有机场效应晶体管的基本结构
        1.2.3 有机场效应晶体管的基本参数
    1.3 有机薄膜场效应晶体管的制备及性能优化
    1.4 超柔性有机场效应晶体管的发展现状
    1.5 本论文的主要工作及选题意义
第二章 PTCDI-C13 n型有机薄膜场效应晶体管的制备及其性能优化
    2.1 引言
    2.2 PTCDI-C13材料介绍
    2.3 PTCDI-C13 n型有机薄膜场效应晶体管性能研究
        2.3.1 基于不同绝缘层制备的PTCDI-C13 n型OTFT性能研究
        2.3.2 优化PTCDI-C13在不同绝缘层上的沉积条件以优化薄膜器件性能
    2.4 PTCDI-C13薄膜场效应晶体管的操作稳定性
    2.5 本章小结
第三章 超薄柔性PTCDI-C13有机薄膜场效应晶体管制备及性能研究
    3.1 引言
    3.2 PTCDI-C13在单层、双层绝缘层上薄膜场效应晶体管的电学性能研究
    3.3 以PMMA为绝缘层,PVA为支撑层的超薄柔性PTCDI-C13薄膜场效应晶体管的制备及性能研究
        3.3.1 超薄柔性PTCDI-C13有机薄膜场效应晶体管制备
        3.3.2 大面积超薄柔性PTCDI-C13薄膜场效应晶体管基本性能研究
        3.3.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜场效应晶体管弯曲性能研究
    3.4 以PMMA/PVA双层绝缘层且无支撑层的PTCDI-C13薄膜晶体管的制备及性能研究
        3.4.1 以PMMA/PVA双层绝缘层,无支撑层的PTCDI-C13薄膜场效应晶体管的制备
        3.4.2 以PMMA/PVA为绝缘层制备PTCDI-C13薄膜场效应晶体管在三维球面上基本性能研究
        3.4.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜场效应晶体管褶皱性能研究
    3.5 本章小结
第四章 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶体管性能研究
    4.1 引言
    4.2 PTCDI-C13薄膜光晶体管的基本光响应性能研究
    4.3 超薄柔性大面积PTCDI-C13薄膜光晶体管的性能研究
    4.4 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶体管的弯曲性能研究
    4.5 本章小结
第五章 总结
参考文献
致谢
在学期间发表的论文、申请专利及参加会议情况



本文编号：3987150