单层钼基硫族化合物及其异质结的制备和光电性能研究

发布时间：2024-07-09 03:58

　　二维半导体材料由于其独特的结构和优异的光电特性,有望应用于下一代电子器件。二维半导体的大规模高质量制备仍然是研究热点之一。本文通过化学气相沉积法(CVD)合成了单层MoS₂、MoSe₂和SnS₂/MoSe₂范德瓦尔斯异质结,并研究了其光电性能。首先,水辅助CVD法生长了高质量单层MoS₂,具有表面干净、分布均匀、范围大等优点。制备了场效应晶体管(FET)并测试了其光电性能。结果表明,水辅助生长的单层MoS₂ FET具有大的驱动电流和高迁移率(25 cm² V^-1 s^-1),以及高的开关电流比(10⁸)。此外,晶体管对532 nm的激光表现出良好的光响应性能。其次,CVD法合成了单层MoSe₂和薄层SnS₂。合成的单层MoSe₂面积大、分散均匀和晶体质量好。基于MoSe₂的FET表现出...

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【部分图文】：

图1-12DTMDs材料的新物理性能和潜在应用

温州大学硕士学位论文型MoS2和WS2等[23]。Ds的物理性质由元素组成、晶体结构化物层间通过较弱的范德华作用力形成简单机械或液相剥离方法获得二维半导体材料，同时具有原子级厚度，有,25]、光电子器件[26]、场效应晶体管[2间[28,29]。图1-2展现了TM....

图1-2TMDs的晶格结构和带隙

带隙半导体材料，同时具有原子级厚度，有件[24,25]、光电子器件[26]、场效应晶体管[27及空间[28,29]。图1-2展现了TMDs的能带结MDs和其他2D材料（石墨烯（Gr），黑磷（B的关系。图1-12DTMDs材料的新物理性能和潜在应用。[3F....

图1-3（a）MoS2的三种晶体结构

S2的三种晶体结构。（b）单层MoS2晶体结构1-3(a)CrystalstructureofMoS2,2H,3Rand1T)Single-layerMoS2crystalstructuretopandside质和应用中可以得出，随着物质从体相到....

图1-4从第一性原理密度泛函理论计算得出的MoS2的能带结构图

MoS2的三种晶体结构。（b）单层MoS2晶体结构顶视图和re1-3(a)CrystalstructureofMoS2,2H,3Rand1T,respect(b)Single-layerMoS2crystalstructuretopandsid....

本文编号：4004357