缓冲层对PZT/GaAs异质结的生长及光伏特性的作用研究

发布时间：2024-09-17 12:16

　　钙钛矿结构（ABO₃型）的铁电氧化物材料,因其优秀的光生电压现象而受到广泛关注。ABO₃型铁电氧化物物理化学性质比较稳定,能够利用现有的半导体工艺技术,将其与常见光伏半导体集成在一起,结合直接带隙光伏半导体对可见光的高吸收率和钙钛矿铁电氧化物高光生电压的优点,形成新型的复合薄膜太阳能电池。但是由于晶格失配和界面扩散问题,可能会限制该异质结构的性能。本论文选取典型钙钛矿铁电氧化物Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃为研究对象,将其与第三代窄带隙半导体GaAs结合在一起,通过引入复合缓冲层SrTiO₃/TiO₂改善晶格失配和界面扩散问题,以提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性能,提高该异质结构的光电转换效率。本论文主要内容如下:1.利用激光分子束外延方法,在GaAs衬底上制备了复合缓冲层TiO₂和STO。通过RHEED观测的衍射图案来分析对比不同温度下缓冲层生长时的结晶状况,在保证结晶良好的前提下,为减小高温带来的...

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1-1铁电体与热释电体、压电体和一般电介质的包含关系

电子科技大学硕士学位论文铁电材料的性质与特征电材料一般具有介电性、压电性、热释电性和铁电性，这是由晶体结构决种电介质的关系如图1-1所示。.介电性电性的表示ε=′′′(1-数部分：表示介电常数，即体现电介质的极化水平，其值越大，就表示对束本领越大。数部分....

图1-2正压电效应与逆压电效应

图1-390°畴和180°畴子规律排布的小区域。如图1-3所示80°畴。居里温度是指对于铁电体当温度高于相转变为顺电相。一般来讲，Tc之上的图1-2正压电效应与逆压电效应

图1-390°畴和180°畴

图1-390°畴和180°畴：电畴是指原子规律排布的小区域。如图1-3所示，一般因电畴间的90°畴和180°畴。温度（Tc）：居里温度是指对于铁电体当温度高于某一值时，晶体不晶体由铁电相转变为顺电相。一般来讲，Tc之上的时候为顺电相，则变为铁电相。

图1-4典型的铁电体电滞回线图

图1-390°畴和180°畴电畴是指原子规律排布的小区域。如图1-3所示，一般因电0°畴和180°畴。度（Tc）：居里温度是指对于铁电体当温度高于某一值时，体由铁电相转变为顺电相。一般来讲，Tc之上的时候为顺变为铁电相。

本文编号：4005442