PCM测试参数与CCD工艺关系研究

发布时间：2024-12-22 05:08

　　 PCM（Process Control Monitor）是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件（CCD）工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积（LPCVD）温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF₄流量为15cm³/min、CHF₃流量为45cm³/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×10¹²atom/cm²时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl₂流量为90cm³/min,BCl₃流量为45cm³/min,N₂流量为30cm³/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 PCM技术基本原理
2 实验结果与分析
    2.1 方块电阻
    2.2 接触电阻
    2.3 阈值电压
    2.4 金属同层漏电
3 结论



本文编号：4019483