应用于5GHz WLAN的SiGe BiCMOS低噪声放大器研究与实现

发布时间：2025-01-14 00:22

　　在过去的二十年中,无线通信领域始终保持蓬勃发展。近年来,通信用户的飞速增长及其技术的快速更新都对现代无线通信出了更高的要求。WLAN使移动设备之间的物理连接更为清晰简单。随着WLAN对于带宽和数据吞吐量及其速率等的要求不断升,这直接推动了最初仅仅只能支持单频段的802.11 b/g向日后的802.11ac不断演化。在多输入多输出（MIMO）制式下的802.11ac可以给每一条发送或接收链路供的传输速率已高达6Gbps。对于低噪声放大器（LNA）而言,其噪声系数以及增益十分重要,对整体接收机敏感度的影响甚至是决定性的。尤其对于高频段工作的LNA,常常要使用价格高昂的GaAs、MESFET等工艺以减小其寄生参数的影响。虽然Si CMOS技术的价格优势较为明显,但其效率与线性度均较差。SiGe BiCMOS作为高性能与低价格的良好结合,无疑给我们供了更好的折中选择。它不仅兼具了双极工艺以及CMOS工艺的优势特点,同时完全符合射频电路系统中低功耗等性能要求。本文借助IBM公司的0.35um SiGe BiCMOS工艺,分析设计出一款工作在5～6GHz频段范围内,应用于802.11ac的LNA,且...

【文章页数】：87 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图2-10.35umSiGeBiCMOS工艺结构横截面图

图2-10.35umSiGeBiCMOS工艺结构横截面图Figure2-10.35umSiGeBiCMOSprocesscross-sectionalstructureSiGeBiCMOS工艺的高集成度，本文中LNA的模拟逻辑控制模块可以在同一芯....

图2-2普通平面集成双极型晶体管截面示意图

第二章SiGe工艺介绍及其器件模型际操作中，由于SiGe层需要非常窄并且不能存在明显缺陷，从版将它选作双极晶体管基极的最佳选择之一。图2-2和图2-3分别集成双极型晶体管截面图和SiGe异质结双极型晶体管的截面图[3形成后，p+SiGe基区层和p型S....

图2-3SiGeHBT双极型晶体管截面示意图

以将它选作双极晶体管基极的最佳选择之一。图2-2和图2-3分别是面集成双极型晶体管截面图和SiGe异质结双极型晶体管的截面图[32]。层形成后，p+SiGe基区层和p型Si帽层也随之生长。图2-2中虚线料之间的边界。一般采用本征基区注入法对多晶体材料进....

图2-4SiGeHBT晶体管小信号等效电路图

E图2-4SiGeHBT晶体管小信号等效电allsignalequivalentcircuitdiagramof包含了基极电阻（）、集电结电发射极电阻（）、以及集电极点与基区内部之间的串联电阻，与发射极内外部之间的寄生电阻控电流源GmVbe表征....

本文编号：4026126