红外探测器用PbSe薄膜的研究现状
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【摘要】:PbSe薄膜作为一种窄禁带半导体材料,因其具有优异的室温光电敏感性和响应度而被广泛用于制造硒化铅红外探测器。本文归纳和总结了PbSe薄膜的性能特点、制备工艺、后期处理工艺、理论研究方向以及国内外PbSe红外探测器的研究现状等内容,并在此基础上,探讨了PbSe红外探测薄膜材料及器件未来可能的发展方向。
【作者单位】: 北京科技大学材料学院;
【关键词】: PbSe薄膜 制备工艺 后处理工艺
【基金】:国家自然科学基金(51271022) 中央高校基本科研业务费专项资助项目(FRF-TP-14-008A2)
【分类号】:TN215;TN304
【正文快照】: 功较早,技术相对较成熟,但与国外同类产品相比,0引言我国所生产的PbS e红外探测器仍存在工作稳定性红外探测作为红外技术领域的一个重要分支,较差、成本较高、制备工艺有待完善等问题。尤其已经渗透到我们生活的多个方面,在扫描、监测、是在红外探测率方面,国内产品(-108 cm·
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