GaN微波及功率器件在电子信息产业中的市场前景

发布时间：2017-06-08 20:17

  本文关键词：GaN微波及功率器件在电子信息产业中的市场前景，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：正一、概述作为一种新型电子和光电子器件半导体材料,氮化镓(Ga N)与碳化硅(Si C)一起,被认为是继第1代锗(Ge)、硅(Si)半导体材料、第2代砷化镓(Ga As)和磷化铟(In P)化合物半导体材料之后的所谓第3代半导体材料,其研究与应用是目前全球半导体产业化研究的前沿和热点之一。它具有带隙宽(而且是直接带隙)、键强度大、电子迁移率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等优良性质和强
【作者单位】： 扬州扬杰电子科技股份有限公司;
【关键词】： 半导体材料;GaN;直接带隙;键强度;电子迁移率;光电子器件;优良性质;磷化铟;器件技术;氮化镓;
【分类号】：TN304
【正文快照】： 一、概述作为一种新型电子和光电子器件半导体材料,氮化镓(Ga N)与碳化硅(Si C)一起,被认为是继第1代锗(Ge)、硅(Si)半导体材料、第2代砷化镓(Ga As)和磷化铟(In P)化合物半导体材料之后的所谓第3代半导体材料,其研究与应用是目前全球半导体产业化研究的前沿和热点之一。它具

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 李翔;曹灿华;翟X;乔荣学;;半导体材料的浅释[J];科技传播;2011年06期

2 TB犹煃;汪炳南;;对半导体材料研究的一些意墜[J];科学通报;1959年16期

3 林，

本文编号：433663