基于黑磷纳米材料场效应管的电特性研究
发布时间:2017-06-16 01:06
本文关键词:基于黑磷纳米材料场效应管的电特性研究,由笔耕文化传播整理发布。
【摘要】:以红磷、锡和四碘化锡为原料制备黑磷,并用黑磷(BP)纳米材料制作场效应管,用X射线衍射谱(XRD)和光学显微镜(OM)分析了BP样品的结构和形貌,并测试其输出特性曲线和转移特性曲线。BP样品厚度为12 nm,通过计算,其电子迁移率μ_e=248 cm~2/Vs,电流开关比为~10~3。结果表明,基于BP纳米材料场效应管具有较好电子迁移率和开关比,为BP成为未来光电器件备选材料研究奠定基础。
【作者单位】: 池州学院机电工程学院;浙江大学物理学系;
【关键词】: 黑磷 形貌 场效应管 FET性能
【基金】:国家自然科学基金(51272232)
【分类号】:TB383.1;TN386
【正文快照】: 1引言 目前研究较多的二维材料,主要有石墨烯、氮化硼(BN)以及二维过渡金属硫化物如二硫化钼(MOS2),它们表现出来的优异的物理和化学性能使这些材料得到学者们的关注[1-5]。石墨烯具有高电子迁移率,高热导率,常温霍尔效应等优异性能,但它缺乏带隙,以及较小的开关电流比导致石
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1 应盼;Al/Ag金属薄膜的制备、表征及对C_(60)分子自组装的影响[D];燕山大学;2014年
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,本文编号:453964
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